IGBT概念板块指数微跌,个股涨跌互现,需求持续增长
7日收盘,IGBT概念概念板块指数报812.99点,跌幅0.42%,成交320.7亿元,换手4.48%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:东微半导报44.07元,跌-2.33%。士兰微报26.02元,跌-2.44%。台基股份报34.11元,跌-2.49%。涨幅最大的前3个股为:威孚高科报23.46元,涨9.01%;利欧股份报4.52元,涨6.60%;振华科技报48.22元,涨3.77%。
IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,它利用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是一种电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。