IGBT概念板块指数涨1.36%,成交271.6亿
6日收盘,IGBT概念概念板块指数报816.45点,涨幅1.36%,成交271.6亿元,换手2.92%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:时代电气报46.29元,涨0.04%。国电南瑞报23.30元,跌-0.77%。ST华微报5.95元,跌-2.30%。涨幅最大的前3个股为:聚飞光电报7.21元,涨4.49%;广电电气报4.73元,涨4.19%;威孚高科报21.52元,涨3.11%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管,通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S),其特点是用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。