IGBT概念板块指数涨1.02%,成交296.7亿
17日收盘,IGBT概念概念板块指数报791.14点,涨幅1.02%,成交296.7亿元,换手3.07%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:振华科技报41.95元,跌-0.73%。时代电气报43.12元,跌-0.92%。比亚迪报348.50元,跌-2.12%。涨幅最大的前3个股为:皇庭国际报3.48元,涨10.13%;广电电气报4.51元,涨10.00%;台基股份报35.97元,涨3.99%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管,通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S),其特点是用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。