皇庭B

26日收盘，IGBT概念概念板块指数报820.63点，涨幅1.02%，成交267.8亿元，换手2.36%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：科威尔报30.96元，跌-0.61%。扬杰科技报46.34元，跌-0.66%。民德电子报25.17元，跌-0.67%。涨幅最大的前3个股为：皇庭国际报3.49元，涨10.09%；东微半导报46.35元，涨3.92%；TCL中环报9.45元，涨3.39%。

IGBT等于MOSFET加上BJT。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可以分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中主要以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管的基本结构由两个PN结组成，产生三个连接端子，分别标记为发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT是一种电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例；由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此其作用类似于电流控制开关。

26日收盘，B股概念板块指数报884.12点，涨幅1.03%，成交1.146亿元，换手0.22%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：京东方Ｂ报2.91元，跌-1.36%。动力Ｂ股报0.212元，跌-1.85%。ST晨鸣B报0.64元，跌-4.48%。涨幅最大的前3个股为：大名城B报0.229元，涨10.10%；皇庭B报1.24元，涨9.73%；本钢板Ｂ报1.42元，涨8.40%。

26日收盘，AB股概念板块指数报10913.6点，涨幅1.24%，成交237.5亿元，换手1.71%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：云赛智联报27.51元，跌-4.48%。ST晨鸣报2.02元，跌-5.16%。动力新科报5.66元，跌-5.51%。涨幅最大的前3个股为：本钢板材报4.03元，涨10.11%；皇庭国际报3.49元，涨10.09%；上海机电报24.07元，涨10.01%。

26日收盘，参股保险概念板块指数报2365.56点，涨幅1.25%，成交435.5亿元，换手0.82%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：爱仕达报20.00元，跌-1.86%。巨人网络报15.50元，跌-3.06%。东华软件报12.60元，跌-4.26%。涨幅最大的前3个股为：皇庭国际报3.49元，涨10.09%；大名城报3.41元，涨10.00%；富奥股份报5.85元，涨3.91%。

26日收盘，深圳特区概念板块指数报32782.19点，涨幅1.39%，成交2113亿元，换手2.68%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：欧陆通报156.10元，跌-4.33%。神州数码报51.30元，跌-4.47%。*ST同洲报4.29元，跌-5.09%。涨幅最大的前3个股为：慧为智能报30.92元，涨10.23%；海目星报37.38元，涨10.10%；皇庭国际报3.49元，涨10.09%。

26日收盘，租售同权概念板块指数报757.24点，涨幅2.93%，成交92.68亿元，换手2.82%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：维业股份报9.31元，涨0.76%。明牌珠宝报4.78元，涨0.42%。张江高科报27.61元，跌-0.86%。涨幅最大的前3个股为：皇庭国际报3.49元，涨10.09%；我爱我家报3.59元，涨7.81%；世联行报2.69元，涨5.49%。

25日收盘，B股概念板块指数报875.07点，跌幅0.48%，成交1.301亿元，换手0.27%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：ST晨鸣B报0.67元，跌-4.29%。云赛Ｂ股报0.834元，跌-5.33%。中 鲁Ｂ报2.30元，跌-5.35%。涨幅最大的前3个股为：动力Ｂ股报0.216元，涨4.35%；锦在线B报0.625元，涨3.99%；皇庭B报1.13元，涨2.73%。

24日收盘，B股概念板块指数报879.26点，跌幅1.21%，成交1.974亿元，换手0.37%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：深赛格B报1.67元，跌-6.70%。皇庭B报1.10元，跌-6.78%。凌云Ｂ股报0.288元，跌-7.40%。涨幅最大的前3个股为：云赛Ｂ股报0.881元，涨9.99%；动力Ｂ股报0.207元，涨7.25%；天雁B股报0.189元，涨2.16%。

24日收盘，租售同权概念板块指数报740.73点，涨幅1.61%，成交101.6亿元，换手2.83%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：德必集团报18.43元，跌-0.38%。三六五网报16.14元，跌-0.74%。皇庭国际报3.22元，跌-1.23%。涨幅最大的前3个股为：滨江集团报10.50元，涨5.11%；招商蛇口报9.62元，涨3.44%；我爱我家报3.31元，涨3.44%。

21日收盘，IGBT概念概念板块指数报813.98点，涨幅2.44%，成交418.3亿元，换手3.53%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：天龙股份报16.87元，跌-0.88%。皇庭国际报3.26元，跌-1.21%。博菲电气报29.27元，跌-1.98%。涨幅最大的前3个股为：威孚高科报19.66元，涨10.02%；黄山谷捷报59.51元，涨9.19%；台基股份报37.70元，涨9.02%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可以分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中主要以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，形成三个连接端子：发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT作为电流调节器件，能够控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例；由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此BJT的作用类似于电流控制开关。