IGBT概念板块指数跌2.41%,成交306.4亿
18日收盘,IGBT概念概念板块指数报772.06点,跌幅2.41%,成交306.4亿元,换手3.00%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:上海贝岭报37.32元,跌-5.16%。台基股份报33.81元,跌-6.01%。利欧股份报4.24元,跌-6.61%。涨幅最大的前3个股为:广电电气报4.96元,涨9.98%;比亚迪报356.22元,涨2.22%;科威尔报29.78元,涨1.47%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管,通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S),其特点是用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。