新洁能

4日收盘，碳化硅概念板块指数报1355.0点，涨幅2.01%，成交130.6亿元，换手2.75%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：京运通报2.71元，跌-0.73%。温州宏丰报6.23元，跌-0.80%。蓝海华腾报24.44元，跌-4.42%。涨幅最大的前3个股为：东尼电子报21.74元，涨10.02%；新洁能报35.68元，涨5.97%；奔朗新材报11.24元，涨5.54%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。

4日收盘，IGBT概念概念板块指数报807.42点，涨幅2.55%，成交297.1亿元，换手2.31%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：赛伍技术报10.86元，跌-0.82%。博敏电子报8.89元，跌-2.31%。比亚迪报344.84元，跌-4.27%。涨幅最大的前3个股为：紫光国微报67.98元，涨10.00%；皇庭国际报3.89元，涨9.89%；新洁能报35.68元，涨5.97%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，它利用栅极电压来控制漏极电流。根据制作工艺，MOSFET可以分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中主要使用增强型的NMOS和增强型的PMOS。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，能够控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例。由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此BJT的作用类似于电流控制开关。