长电科技

财迅通4月28日讯，长电科技（600584.SH）在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问：为什么不提高分红比例

答：尊敬的投资者，您好。2024年年度公司拟向全体股东每10股派发现金红利1.2元（含税），共分配红利2.15亿元，股息支付率13.3%，相比去年分红总额1.79亿元及每10股派发1.0元和股息率12.2%均有所增加，同时已提请股东大会授权董事会制定2025年度中期分红方案，持续加大股东回报力度。感谢您的关注与支持！

问：2024年公司年报中是否反映晟碟和西部数据收购后的营收及利润数据，公司去年大笔收购的营收及影响有何评估？

答：尊敬的投资者，您好。晟碟半导体已经在第四季度全部纳入公司合并报表范围，并在2024年年报中披露了自购买日（2024年9月28日）至期末晟碟半导体的关键财务数据，详情请参见公司发布的2024年年报。感谢您的关注与支持！

问：你好，贵司可有与 苏州赛腾股份 603283 （子公司 无锡昌鼎电子）采购合作 国产半导体设备，谢谢！

答：尊敬的投资者，您好。公司在兼顾客户技术及工艺要求的同时，积极发挥行业龙头的引领作用，与全球供应商合作推动相关封测设备产业链合作及供应链多元化的战略布局和实施，促进先进封装技术的持续发展。感谢您的关注与支持。

财迅通4月25日讯，长电科技（600584.SH）在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问：为什么变得如此垃圾？今年行业应该还是复苏阶段吧？

答：尊敬的投资者，您好。2025 年全球半导体市场继续呈现复苏的发展态势。感谢您的关注与支持！。

财迅通4月24日讯，长电科技（600584.SH）在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问：股价从去年高点持续下跌30%，是不是由于去年的重大决策失误导致的公司经营业务受损严重。

答：尊敬的投资者，您好。二级市场股价受多重因素影响。公司2024年收入同比增长21%，创历史新高，达359.6亿元，净利润稳定增长，为16.1亿元。当前公司经营发展保持稳中有进、稳中提质的良好态势。感谢您的关注与支持！。

22日收盘，IGBT概念概念板块指数报756.31点，涨幅0.81%，成交199.3亿元，换手2.72%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：长电科技报32.77元，跌-1.15%。威孚高科报19.41元，跌-1.37%。皇庭国际报3.10元，跌-6.91%。涨幅最大的前3个股为：立昂微报25.96元，涨9.95%；东微半导报41.70元，涨6.13%；银河微电报23.34元，涨5.90%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例。由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此BJT的作用类似于电流控制开关。

16日收盘，CPO概念概念板块指数报2153.38点，跌幅2.16%，成交212.9亿元，换手1.96%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：沃格光电报20.98元，跌-3.54%。立讯精密报29.59元，跌-3.96%。新易盛报75.08元，跌-4.43%。涨幅最大的前3个股为：锐捷网络报69.64元，涨0.90%；烽火通信报21.40元，涨0.61%；长电科技报32.85元，涨0.00%。

财迅通4月8日讯，长电科技（600584.SH）在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问：此次美国加征关税，对长电科技多大影响？

答：尊敬的投资者，您好。长电科技作为全球领先的集成电路芯片封测厂商，为全球客户提供封装和测试服务，该服务附着于客户的产品上，相关产品未有根据长电科技提供服务的所在国被各国海关定义为原产地的情形。此外，将于4月9日生效的美国针对中国商品的34%“对等关税”范围内不包括半导体。综合评估本次美国政府的对等关税政策对长电科技基本无直接影响。考虑到目前中、美两国政府对上述关税政策的实施细则仍有待明确，公司将密切关注后续政策发展，持续评估和应对可能的影响，并和客户及供应商保持密切沟通。感谢您的关注！

问：请问董秘，贵公司是否与美国有业务往来或者投资，中美互加关税对贵公司有何影响。贵公司业务是否是国产替代。

3日收盘，IGBT概念概念板块指数报773.72点，跌幅0.81%，成交148.4亿元，换手1.21%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：长电科技报34.37元，跌-2.44%。银河微电报23.40元，跌-2.74%。维科精密报25.22元，跌-3.11%。涨幅最大的前3个股为：振华科技报58.13元，涨3.93%；ST华微报7.10元，涨3.05%；国电南瑞报22.33元，涨1.96%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，它利用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中主要使用增强型的NMOS和增强型的PMOS。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例。由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此BJT的作用类似于电流控制开关。

2日收盘，Chiplet概念概念板块指数报1494.42点，跌幅0.70%，成交101.4亿元，换手2.34%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：蓝箭电子报26.44元，跌-1.75%。曼恩斯特报60.77元，跌-2.46%。合锻智能报13.33元，跌-5.06%。涨幅最大的前3个股为：长电科技报35.23元，涨0.66%；银河微电报24.06元，涨0.42%；中富电路报31.56元，涨0.29%。

31日收盘，Chiplet概念概念板块指数报1490.86点，涨幅0.28%，成交140.6亿元，换手3.10%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：长电科技报35.01元，跌-2.48%。赛微电子报16.90元，跌-2.76%。合锻智能报12.76元，跌-4.56%。涨幅最大的前3个股为：润欣科技报22.67元，涨5.20%；劲拓股份报16.75元，涨3.52%；华海诚科报78.80元，涨2.75%。

26日收盘，Chiplet概念概念板块指数报1501.36点，涨幅1.25%，成交102.1亿元，换手1.67%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：长电科技报35.92元，跌-0.25%。华海诚科报76.42元，跌-0.37%。华润微报45.29元，跌-0.46%。涨幅最大的前3个股为：合锻智能报12.36元，涨9.96%；芯原股份报98.00元，涨5.26%；蓝箭电子报27.83元，涨4.15%。