碳化硅概念板块涨幅2%,SiC材料成半导体发展新焦点
12日收盘,碳化硅概念板块指数报1408.2点,涨幅2.00%,成交207.6亿元,换手4.39%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:海希通讯报20.26元,跌-1.94%。奔朗新材报11.69元,跌-2.18%。星球石墨报27.67元,跌-5.82%。涨幅最大的前3个股为:天岳先进报76.80元,涨11.42%;科创新源报28.86元,涨10.24%;奥瑞德报3.51元,涨10.03%。
硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料,但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料,有望在高功率和高频领域部分替代硅,成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求,在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外,SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件,具体表现为阻抗更低,可以缩小产品体积并提高转换效率;同时,其工作频率可达硅基器件的10倍,且效率不随频率升高而降低,从而降低能量损耗。