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皇庭B

B股概念板块微跌,个股涨跌不一

27日收盘,B股概念板块指数报886.04点,跌幅0.18%,成交7525万元,换手0.23%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:锦在线B报0.560元,跌-2.95%。皇庭B报1.17元,跌-4.10%。伊泰B股报2.071元,跌-5.43%。涨幅最大的前3个股为:丹科B股报0.142元,涨5.97%;海立B股报0.434元,涨4.58%;中毅达B报0.297元,涨2.06%。

国产芯片板块微跌,个股涨跌不一

27日收盘,国产芯片概念板块指数报3152.17点,跌幅0.02%,成交1602亿元,换手2.23%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:南方精工报25.15元,跌-9.99%。皇庭国际报3.49元,跌-10.05%。永鼎股份报6.26元,跌-10.06%。涨幅最大的前3个股为:飞凯材料报18.81元,涨10.32%;江化微报19.06元,涨9.98%;芯原股份报107.66元,涨9.86%。

半导体行业涨幅0.64%,个股涨跌互现

27日收盘,半导体概念概念板块指数报1632.84点,涨幅0.64%,成交1289亿元,换手2.24%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:聚飞光电报6.37元,跌-7.81%。皇庭国际报3.49元,跌-10.05%。坤博精工报47.79元,跌-12.31%。涨幅最大的前3个股为:华融化学报10.91元,涨20.02%;新莱应材报33.07元,涨19.99%;恒光股份报23.17元,涨19.99%。

半导体行业是近年来我国重点发展的先进制造业领域,它基于硅等元素在关键位置主导电导性的特性,这些特性使它们成为介于导体与绝缘体之间的材料。在生产过程中,硅需经过提炼并形成单晶,再通过柴可拉斯基法成长为晶体,这些单晶硅是制作晶圆的关键材料。半导体技术通过掺杂改变电导性,从而形成P型与N型半导体,并进一步构建p-n结,以实现电子设备的核心功能。具体实施时,光刻和离子注入工艺被用于精确塑造半导体器件的微观结构,其应用范围广泛,涵盖从智能手机到计算机的各类集成电路和芯片设计。目前,半导体产业的商业模式涵盖了材料提炼、器件设计、芯片制造及分销等多个环节,商业模式与技术链紧密相连。展望未来,随着技术迭代与市场需求增长,半导体行业将持续向更小型化、更高性能以及智能化方向发展,并预计将逐步渗透到人工智能、5G通信等新兴领域,成为支撑信息社会发展的基石之一。

参股保险板块微涨0.32%,个股涨跌不一

26日收盘,参股保险概念板块指数报2349.84点,涨幅0.32%,成交201.8亿元,换手0.49%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:顺钠股份报6.98元,跌-3.19%。悦心健康报4.43元,跌-4.73%。新疆浩源报10.20元,跌-5.64%。涨幅最大的前3个股为:中牧股份报6.93元,涨4.84%;皇庭国际报3.88元,涨3.74%;华天酒店报3.35元,涨3.72%。

租售同权板块微涨,个股涨跌不一

26日收盘,租售同权概念板块指数报741.65点,涨幅0.94%,成交35.18亿元,换手1.28%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:保利发展报8.51元,跌-0.12%。滨江集团报10.53元,跌-0.66%。明牌珠宝报6.00元,跌-0.99%。涨幅最大的前3个股为:南国置业报1.48元,涨4.96%;皇庭国际报3.88元,涨3.74%;市北高新报4.81元,涨1.69%。

租售同权板块微跌,个股涨跌互现

25日收盘,租售同权概念板块指数报734.77点,跌幅0.41%,成交37.89亿元,换手1.28%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:皇庭国际报3.74元,跌-2.35%。维业股份报9.03元,跌-3.22%。德必集团报18.23元,跌-3.80%。涨幅最大的前3个股为:滨江集团报10.60元,涨0.86%;天健集团报3.89元,涨0.78%;保利发展报8.52元,涨0.71%。

IGBT概念板块微跌,个股涨跌互现,行业发展多元化

25日收盘,IGBT概念概念板块指数报791.86点,跌幅0.25%,成交184.6亿元,换手1.46%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:皇庭国际报3.74元,跌-2.35%。利欧股份报3.77元,跌-2.58%。派瑞股份报15.61元,跌-2.98%。涨幅最大的前3个股为:ST华微报6.60元,涨4.93%;振华科技报55.77元,涨4.65%;紫光国微报68.39元,涨3.46%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管,通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S),其特点是用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管,由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。

租售同权板块指数跌2.78%,个股涨跌不一

24日收盘,租售同权概念板块指数报737.76点,跌幅2.78%,成交55.25亿元,换手2.03%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:德必集团报18.95元,跌-6.70%。南国置业报1.41元,跌-7.24%。明牌珠宝报6.10元,跌-9.50%。涨幅最大的前3个股为:皇庭国际报3.83元,涨6.39%;滨江集团报10.51元,涨0.57%;三湘印象报3.75元,涨0.27%。

IGBT概念板块指数跌1.62%,成交211.1亿

24日收盘,IGBT概念概念板块指数报793.83点,跌幅1.62%,成交211.1亿元,换手1.92%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:维科精密报26.94元,跌-5.74%。天龙股份报17.44元,跌-5.78%。朗进科技报16.42元,跌-6.17%。涨幅最大的前3个股为:皇庭国际报3.83元,涨6.39%;ST华微报6.29元,涨5.01%;派瑞股份报16.09元,涨1.32%。

IGBT等于MOSFET加上BJT。MOSFET是一种通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可以分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型,实际应用中主要以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。BJT双极结型晶体管的基本结构由两个PN结组成,产生三个连接端子,分别标记为发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT是一种电流调节器件,可控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例;由于流入基极端子的小电流控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流,因此其作用类似于电流控制开关。

B股概念板块指数跌0.99%,个股涨跌不一

24日收盘,B股概念板块指数报885.03点,跌幅0.99%,成交1.198亿元,换手0.35%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:深中华B报1.49元,跌-4.49%。ST晨鸣B报0.54元,跌-5.26%。天雁B股报0.201元,跌-6.07%。涨幅最大的前3个股为:中毅达B报0.292元,涨3.55%;皇庭B报1.22元,涨3.39%;黄山B股报0.753元,涨1.76%。