碳化硅板块指数跌1.38%,个股涨跌互现
24日收盘,碳化硅概念板块指数报1335.61点,跌幅1.38%,成交106.5亿元,换手2.65%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:露笑科技报7.92元,跌-4.23%。科创新源报27.29元,跌-4.35%。温州宏丰报5.91元,跌-4.83%。涨幅最大的前3个股为:天岳先进报66.31元,涨2.31%;奔朗新材报10.22元,涨2.20%;晶升股份报33.15元,涨1.78%。
硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料,但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料,有望在高功率和高频领域部分替代硅,成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求,在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外,SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件,具体表现为阻抗更低,可以缩小产品体积并提高转换效率;同时,其工作频率可达硅基器件的10倍,且效率不随频率升高而降低,从而降低能量损耗。