7日收盘，IGBT概念概念板块指数报678.43点，跌幅12.32%，成交276.9亿元，换手1.83%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：维科精密报20.18元，跌-19.98%。台基股份报23.98元，跌-19.99%。黄山谷捷报44.36元，跌-20.00%。涨幅最大的前3个股为：国电南瑞报21.86元，跌-2.10%；振华科技报56.71元，跌-2.44%；天龙股份报17.96元，跌-4.72%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，其作用类似于电流控制开关。
IGBT产品按照封装形式可以分为三类：IGBT模块、IPM模块和IGBT单管。IGBT模块是多个IGBT芯片并联集成封装在一起的模块，外部电路简单且工作可靠，更适合高压和大电流连接，常见的有1in1、2in1、6in1等封装形式。IPM模块即智能功率模块，集成了栅极驱动电路和各种保护电路（如热保护、过流保护等），可靠性高且使用简单，特别适合中小功率逆变器。IGBT单管则是一种封装较小的分立IGBT，电流通常在50A以下，结构简单，常见有TO247、TO3P等封装形式。
IGBT产业链包括IDM厂商和Fabless厂商两种类型。对于IDM厂商，其上游为半导体设备及材料厂商，中游涵盖设计、制造与封测环节，下游则是各应用领域厂商。而Fabless厂商的上游则主要是设计厂商，中游同样为制造与封测，下游也为应用领域厂商。整个IGBT行业的上游涉及晶圆制造所需的原材料与设备，如光刻胶、硅片、抛光垫、电子特气等材料，以及光刻机、离子注入机、EDA与IP等设备；对于Fabless厂商，其上游还包括晶圆制造、封装及测试的代工厂商。中游IGBT厂商以Fabless为主，包括派芯科技、科达集团、新洁能、西安中车永电电气有限公司等企业。下游终端应用领域广泛，汽车电子领域的客户有比亚迪、小鹏、理想、蔚来、极氪、上汽、江淮、五菱等，光伏储能领域的客户则包括阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源等。随着光伏和新能源汽车行业的快速发展，这两大领域成为驱动IGBT需求持续增长的主要动力。IGBT作为光伏逆变器的重要组成部分，在光伏领域应用广泛，随着光伏装机量的增长，对IGBT的需求也迅速增加。同时，在新能源汽车领域，由于电压、功率的大幅提升，IGBT已成为标配，随着新能源汽车的推广，IGBT的需求进一步得到增长。