IGBT概念板块指数涨0.9%,成交167.6亿
29日收盘,IGBT概念概念板块指数报750.03点,涨幅0.90%,成交167.6亿元,换手1.72%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:天龙股份报19.78元,跌-2.85%。国电南瑞报22.21元,跌-3.85%。ST华微报6.39元,跌-5.05%。涨幅最大的前3个股为:利欧股份报3.77元,涨9.91%;宏微科技报15.44元,涨5.46%;民德电子报22.98元,涨5.12%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管,通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S),其特点是用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型,实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是一种电流调节器件,可控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。