IGBT概念板块指数跌0.87%,成交136.6亿
18日收盘,IGBT概念概念板块指数报737.96点,跌幅0.87%,成交136.6亿元,换手1.04%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:民德电子报22.87元,跌-4.31%。天龙股份报18.46元,跌-4.45%。上海贝岭报36.51元,跌-4.97%。涨幅最大的前3个股为:威孚高科报18.96元,涨1.66%;聚飞光电报5.76元,涨1.05%;广电电气报4.02元,涨1.01%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管,通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S),其特点是用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。