29日收盘，IGBT概念概念板块指数报750.03点，涨幅0.90%，成交167.6亿元，换手1.72%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：天龙股份报19.78元，跌-2.85%。国电南瑞报22.21元，跌-3.85%。ST华微报6.39元，跌-5.05%。涨幅最大的前3个股为：利欧股份报3.77元，涨9.91%；宏微科技报15.44元，涨5.46%；民德电子报22.98元，涨5.12%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。
IGBT产品按照封装形式可以分为三类：IGBT模块、IPM模块和IGBT单管（分立IGBT）。IGBT模块是多个IGBT芯片并联集成封装在一起的模块，外部电路简单且工作可靠，更适合高压和大电流连接，常见的有1in1、2in1、6in1等封装形式。IPM模块即智能功率模块，它集成了栅极驱动电路和各保护电路（如热保护、过流保护等），增加了外围电路以防止过高升温及高压冲击损害IGBT，具有高可靠性且使用简单，特别适合中小功率逆变器。IGBT单管（分立IGBT）的封装较小，是体现IGBT制造商水平的核心技术之一，其结构简单，电流通常在50A以下，常见有TO247、TO3P等封装形式。
IGBT产业链的发展现状呈现多元化。IGBT厂商主要分为IDM厂商和Fabless厂商两类。对于IDM厂商，其上游连接半导体设备及材料厂商，中游涵盖设计、制造与封测环节，下游则延伸至各应用领域。而Fabless厂商的上游则包括设计厂商，中游为制造与封测，下游同样为各应用领域。IGBT行业的上游主要涉及晶圆制造所需的原材料与设备，如光刻胶、硅片、抛光垫、电子特气等材料，以及光刻机、离子注入机、EDA与IP等设备；对于Fabless厂商，其上游还包括晶圆制造、封装及测试的代工厂商。中游则以Fabless厂商为主，包括派芯科技、科达集团、新洁能、西安中车永电电气有限公司等企业。下游终端应用领域广泛，汽车电子领域的客户包括比亚迪、小鹏、理想、蔚来、极氪、上汽、江淮、五菱等，光伏储能领域的客户则有阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源等。光伏与新能源汽车的双轮驱动，正带动IGBT需求持续增长。作为光伏逆变器的重要组成部分，IGBT在光伏领域的应用日益广泛，随着光伏装机量的持续增长，对IGBT的需求也迅速攀升。同时，在纯电动车时代，电压、功率的大幅提升使得IGBT成为标配，新能源汽车的推广进一步推动了IGBT需求的增长。