ST华微

29日收盘，东北振兴概念板块指数报1048.35点，涨幅0.06%，成交97.92亿元，换手1.81%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：ST华微报6.39元，跌-5.05%。ST通葡报2.99元，跌-5.08%。华电辽能报2.99元，跌-9.67%。涨幅最大的前3个股为：沈阳化工报3.75元，涨9.97%；ST金鸿报2.01元，涨5.24%；龙江交通报3.89元，涨5.14%。

29日收盘，IGBT概念概念板块指数报750.03点，涨幅0.90%，成交167.6亿元，换手1.72%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：天龙股份报19.78元，跌-2.85%。国电南瑞报22.21元，跌-3.85%。ST华微报6.39元，跌-5.05%。涨幅最大的前3个股为：利欧股份报3.77元，涨9.91%；宏微科技报15.44元，涨5.46%；民德电子报22.98元，涨5.12%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

29日收盘，LED概念板块指数报2994.42点，涨幅1.05%，成交177.6亿元，换手1.30%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：*ST星光报1.76元，跌-4.86%。ST德豪报1.73元，跌-4.95%。ST华微报6.39元，跌-5.05%。涨幅最大的前3个股为：奥拓电子报5.67元，涨10.10%；华荣股份报20.85元，涨8.37%；安集科技报180.80元，涨7.68%。

23日收盘，IGBT概念概念板块指数报758.15点，涨幅0.24%，成交238.8亿元，换手1.98%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：利欧股份报3.54元，跌-2.75%。ST华微报6.87元，跌-3.51%。立昂微报24.62元，跌-5.16%。涨幅最大的前3个股为：比亚迪报371.99元，涨4.83%；天龙股份报20.08元，涨4.69%；维科精密报22.92元，涨3.66%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

23日收盘，第三代半导体概念板块指数报1272.03点，涨幅0.85%，成交303.4亿元，换手2.74%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：利欧股份报3.54元，跌-2.75%。ST华微报6.87元，跌-3.51%。立昂微报24.62元，跌-5.16%。涨幅最大的前3个股为：海陆重工报9.35元，涨10.00%；欧陆通报109.61元，涨7.46%；金博股份报26.42元，涨6.53%。

23日收盘，LED概念板块指数报3027.24点，涨幅1.08%，成交263.2亿元，换手1.83%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：芯朋微报55.98元，跌-2.76%。ST华微报6.87元，跌-3.51%。星光股份报2.28元，跌-9.88%。涨幅最大的前3个股为：芯瑞达报18.49元，涨9.99%；鸣志电器报66.44元，涨6.95%；木林森报8.31元，涨5.86%。

21日收盘，IGBT概念概念板块指数报750.26点，涨幅1.67%，成交132.4亿元，换手1.39%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：皇庭国际报3.33元，跌-0.30%。国电南瑞报23.17元，跌-0.56%。中国中车报6.98元，跌-0.57%。涨幅最大的前3个股为：立昂微报23.61元，涨10.02%；利欧股份报3.52元，涨10.00%；ST华微报7.12元，涨3.94%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，主要特点是用栅极电压来控制漏极电流，分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

15日收盘，IGBT概念概念板块指数报749.18点，跌幅0.82%，成交182.7亿元，换手1.31%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：台基股份报30.87元，跌-2.59%。民德电子报24.03元，跌-4.83%。振华科技报58.45元，跌-6.60%。涨幅最大的前3个股为：ST华微报6.99元，涨4.95%；广电电气报4.03元，涨0.75%；上海贝岭报37.04元，涨0.68%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，通过栅极电压控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，有三个连接端子：发射器(E)、基极(B)和收集器(C)，它是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

15日收盘，LED概念板块指数报2969.5点，跌幅0.16%，成交242.0亿元，换手1.67%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：星光股份报2.99元，跌-2.92%。富满微报32.22元，跌-2.98%。小崧股份报6.47元，跌-3.43%。涨幅最大的前3个股为：ST华微报6.99元，涨4.95%；海信视像报23.39元，涨4.33%；联建光电报3.58元，涨3.47%。

10日收盘，第三代半导体概念板块指数报1211.09点，涨幅2.70%，成交390.6亿元，换手3.27%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：ST华微报6.33元，跌-0.78%。时代电气报44.80元，跌-0.88%。北方华创报451.51元，跌-1.85%。涨幅最大的前3个股为：欧陆通报103.15元，涨10.31%；麦格米特报50.88元，涨10.01%；铖昌科技报32.90元，涨10.00%。