ST华微

LED背光技术快速发展，影响消费电子产业

10日收盘，LED概念板块指数报2853.11点，涨幅2.95%，成交356.3亿元，换手2.68%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：南大光电报37.38元，跌-0.03%。ST华微报6.33元，跌-0.78%。圣邦股份报95.41元，跌-1.20%。涨幅最大的前3个股为：雷特科技报35.98元，涨11.22%；厦门信达报4.73元，涨10.00%；歌尔股份报20.71元，涨9.69%。

IGBT概念板块指数涨3.18%，成交310.8亿

9日收盘，IGBT概念概念板块指数报709.42点，涨幅3.18%，成交310.8亿元，换手2.77%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：ST华微报6.38元，跌-0.47%。比亚迪报324.60元，跌-0.89%。天龙股份报18.40元，跌-1.87%。涨幅最大的前3个股为：台基股份报28.80元，涨13.30%；紫光国微报69.06元，涨10.00%；振华科技报59.50元，涨8.28%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

LED行业指数大跌13.75%，个股表现分化

7日收盘，LED概念板块指数报2711.24点，跌幅13.75%，成交280.6亿元，换手2.51%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：洲明科技报5.70元，跌-20.06%。格利尔报10.66元，跌-25.77%。雷特科技报27.30元，跌-26.18%。涨幅最大的前3个股为：圣邦股份报91.00元，跌-0.93%；ST德豪报1.74元，跌-4.92%；ST华微报6.75元，跌-4.93%。

LED行业指数跌1.35%，个股涨跌互现

3日收盘，LED概念板块指数报3143.48点，跌幅1.35%，成交250.3亿元，换手1.71%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：南极光报15.69元，跌-8.94%。歌尔股份报23.39元，跌-10.00%。东山精密报29.66元，跌-10.01%。涨幅最大的前3个股为：圣邦股份报91.85元，涨3.67%；ST华微报7.10元，涨3.05%；凯格精机报34.94元，涨2.34%。

三代半导体板块指数跌1.2%，成交294.9亿

3日收盘，第三代半导体概念板块指数报1321.5点，跌幅1.20%，成交294.9亿元，换手2.20%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：奥海科技报37.88元，跌-6.84%。同惠电子报28.45元，跌-8.78%。麦格米特报56.75元，跌-8.82%。涨幅最大的前3个股为：海陆重工报9.06元，涨5.96%；深圳华强报23.96元，涨3.99%；ST华微报7.10元，涨3.05%。

IGBT概念板块指数微跌，个股表现分化

3日收盘，IGBT概念概念板块指数报773.72点，跌幅0.81%，成交148.4亿元，换手1.21%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：长电科技报34.37元，跌-2.44%。银河微电报23.40元，跌-2.74%。维科精密报25.22元，跌-3.11%。涨幅最大的前3个股为：振华科技报58.13元，涨3.93%；ST华微报7.10元，涨3.05%；国电南瑞报22.33元，涨1.96%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，它利用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中主要使用增强型的NMOS和增强型的PMOS。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例。由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此BJT的作用类似于电流控制开关。