ST华微

26日收盘，LED概念板块指数报3244.75点，涨幅0.83%，成交211.1亿元，换手1.69%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：宝明科技报71.02元，跌-3.70%。小崧股份报7.94元，跌-3.76%。*ST东晶报5.30元，跌-5.02%。涨幅最大的前3个股为：*ST长方报2.09元，涨6.63%；星光股份报3.79元，涨6.16%；ST华微报6.93元，涨5.00%。

26日收盘，IGBT概念概念板块指数报800.98点，涨幅1.15%，成交169.3亿元，换手1.51%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：中瓷电子报46.90元，跌-0.61%。闻泰科技报33.58元，跌-1.18%。时代电气报48.51元，跌-1.28%。涨幅最大的前3个股为：天龙股份报18.36元，涨6.87%；TCL中环报9.67元，涨5.45%；ST华微报6.93元，涨5.00%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

25日收盘，IGBT概念概念板块指数报791.86点，跌幅0.25%，成交184.6亿元，换手1.46%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：皇庭国际报3.74元，跌-2.35%。利欧股份报3.77元，跌-2.58%。派瑞股份报15.61元，跌-2.98%。涨幅最大的前3个股为：ST华微报6.60元，涨4.93%；振华科技报55.77元，涨4.65%；紫光国微报68.39元，涨3.46%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

24日收盘，ST股概念板块指数报5541.52点，跌幅2.56%，成交102.9亿元，换手2.12%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：*ST迪威报3.31元，跌-7.80%。ST中青宝报10.56元，跌-9.04%。*ST中程报2.07元，跌-9.61%。涨幅最大的前3个股为：*ST同洲报6.01元，涨5.07%；ST华微报6.29元，涨5.01%；*ST东园报2.12元，涨4.95%。

24日收盘，第三代半导体概念板块指数报1353.38点，跌幅1.63%，成交361.3亿元，换手3.15%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：利亚德报7.59元，跌-5.48%。亚光科技报6.53元，跌-5.50%。铖昌科技报29.86元，跌-5.83%。涨幅最大的前3个股为：同惠电子报20.49元，涨6.72%；ST华微报6.29元，涨5.01%；华峰测控报146.56元，涨3.94%。

24日收盘，IGBT概念概念板块指数报793.83点，跌幅1.62%，成交211.1亿元，换手1.92%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：维科精密报26.94元，跌-5.74%。天龙股份报17.44元，跌-5.78%。朗进科技报16.42元，跌-6.17%。涨幅最大的前3个股为：皇庭国际报3.83元，涨6.39%；ST华微报6.29元，涨5.01%；派瑞股份报16.09元，涨1.32%。

IGBT等于MOSFET加上BJT。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可以分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中主要以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。BJT双极结型晶体管的基本结构由两个PN结组成，产生三个连接端子，分别标记为发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT是一种电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例；由于流入基极端子的小电流控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此其作用类似于电流控制开关。

24日收盘，东北振兴概念板块指数报1108.32点，跌幅1.11%，成交146.1亿元，换手2.17%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：金圆股份报4.69元，跌-5.44%。奥维通信报5.49元，跌-6.47%。东安动力报12.85元，跌-10.01%。涨幅最大的前3个股为：大连重工报7.70元，涨10.00%；大连圣亚报30.93元，涨9.99%；ST华微报6.29元，涨5.01%。

21日收盘，IGBT概念概念板块指数报806.88点，跌幅2.23%，成交279.5亿元，换手1.92%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：ST华微报5.99元，跌-5.07%。威孚高科报23.24元，跌-5.53%。比亚迪报372.00元，跌-7.00%。涨幅最大的前3个股为：时代电气报50.76元，涨2.11%；TCL中环报9.32元，涨1.86%；闻泰科技报34.89元，涨0.58%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中主要以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例。由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此BJT的作用类似于电流控制开关。

20日收盘，IGBT概念概念板块指数报825.28点，跌幅0.41%，成交213.6亿元，换手1.62%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：银河微电报24.41元，跌-2.36%。皇庭国际报3.63元，跌-3.20%。ST华微报6.31元，跌-4.83%。涨幅最大的前3个股为：维科精密报30.00元，涨4.31%；时代电气报49.71元，涨2.90%；天龙股份报18.99元，涨1.99%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，它利用栅极电压来控制漏极电流。根据制作工艺，MOSFET可以分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中主要使用增强型的NMOS和增强型的PMOS。而BJT，即双极结型晶体管，其基本结构由两个PN结组成，形成三个连接端子：发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT是一种电流调节器件，能够控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例。由于流入基极端子的小电流能够控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此BJT的作用类似于电流控制开关。

20日收盘，东北振兴概念板块指数报1127.79点，涨幅0.43%，成交125.5亿元，换手1.76%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：东软集团报12.41元，跌-2.51%。*ST东方报0.79元，跌-4.82%。ST华微报6.31元，跌-4.83%。涨幅最大的前3个股为：辽宁能源报4.26元，涨10.08%；大连重工报6.36元，涨10.03%；*ST信通报8.74元，涨5.05%。