20日收盘，IGBT概念概念板块指数报825.28点，跌幅0.41%，成交213.6亿元，换手1.62%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：银河微电报24.41元，跌-2.36%。皇庭国际报3.63元，跌-3.20%。ST华微报6.31元，跌-4.83%。涨幅最大的前3个股为：维科精密报30.00元，涨4.31%；时代电气报49.71元，涨2.90%；天龙股份报18.99元，涨1.99%。
IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，它利用栅极电压来控制漏极电流。根据制作工艺，MOSFET可以分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中主要使用增强型的NMOS和增强型的PMOS。而BJT，即双极结型晶体管，其基本结构由两个PN结组成，形成三个连接端子：发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT是一种电流调节器件，能够控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例。由于流入基极端子的小电流能够控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此BJT的作用类似于电流控制开关。
IGBT产品按照封装形式可以分为三类：IGBT模块、IPM模块和IGBT单管。IGBT模块是多个IGBT芯片并联集成封装在一起的模块，外部电路简单且工作可靠，更适合高压和大电流连接，常见的有1in1、2in1、6in1等封装形式。IPM模块，即智能功率模块，集成了栅极驱动电路和各种保护电路（如热保护、过流保护等），增加了外围电路以防止过高升温和高压冲击对IGBT的损害，其可靠性较高且使用简单，特别适合中小功率逆变器。IGBT单管，也称为分立IGBT，封装较小，是体现IGBT制造商核心技术水平的产品，结构简单，电流通常在50A以下，常见有TO247、TO3P等封装形式。
IGBT产业链的发展呈现多元化格局。IGBT厂商主要分为IDM厂商和Fabless厂商两类。对于IDM厂商而言，其上游连接着半导体设备及材料厂商，中游涵盖设计、制造与封测环节，下游则延伸至各应用领域厂商。而Fabless厂商的上游则包括设计厂商，中游为制造与封测厂商，下游同样为各应用领域厂商。整个IGBT行业的上游主要涉及晶圆制造所需的原材料与设备采购，如光刻胶、硅片、抛光垫、电子特气等材料，以及光刻机、离子注入机、EDA与IP等设备。对于Fabless厂商，其上游还包括晶圆制造、封装及测试等环节的代工厂商。中游IGBT厂商以Fabless厂商为主，包括派芯科技、科达集团、新洁能、西安中车永电电气有限公司等企业。下游终端应用领域广泛，汽车电子领域客户涵盖比亚迪、小鹏、理想、蔚来、极氪、上汽、江淮、五菱等，光伏储能领域客户则包括阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源等。随着光伏和新能源汽车行业的快速发展，这两大领域成为驱动IGBT需求持续增长的重要力量。IGBT作为光伏逆变器的重要组成部分，在光伏领域的应用日益广泛，而随着光伏装机量的持续增长，对IGBT的需求也迅速攀升。同时，在纯电动车时代，电压、功率的大幅提升使得IGBT成为标配，新能源汽车的推广进一步推动了IGBT需求的增长。