银河微电

22日收盘，传感器概念板块指数报1563.57点，跌幅0.57%，成交213.7亿元，换手2.06%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：开特股份报23.38元，跌-3.79%。睿创微纳报51.83元，跌-4.07%。大立科技报7.71元，跌-4.58%。涨幅最大的前3个股为：银河微电报23.34元，涨5.90%；宏昌科技报21.27元，涨5.82%；恒合股份报23.09元，涨3.92%。

传感器概念与传感器技术有密切关联，传感器技术行业涉及广泛的领域，包括用于监控和控制生产过程中各种参数的设备，在工业自动化、医疗诊断、环境监测等多个方面具有应用。作为信息技术的三大支柱之一，传感器技术是获取自然和生产领域中信息的主要手段，通过敏感元件感知物理、化学或生物信号，并将其转换为电信号或其他可用形式的输出信号，以便传输、处理和控制。传感技术具体产品根据其工作原理和应用领域具有多样性，包括电阻式、电容式、霍尔效应、光电传感器等。当前，传感器技术处于快速发展阶段，技术先进的结果仍多停留在实验阶段，转化率有待提高。智能传感器的发展趋势显示出集成、小型化和智能化的特点，并取得了在自适应检测、自诊断、数据处理等方面的成果。展望未来，传感器技术预计将更加专注于低成本、多功能、系列化的研究和开发，以满足信息化社会不断提升的技术需求。

22日收盘，碳化硅概念板块指数报1248.79点，跌幅0.24%，成交71.15亿元，换手1.46%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：天岳先进报59.94元，跌-2.54%。海希通讯报20.43元，跌-3.68%。麦格米特报46.25元，跌-5.11%。涨幅最大的前3个股为：银河微电报23.34元，涨5.90%；柘中股份报12.92元，涨3.03%；扬杰科技报46.81元，涨2.88%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。

22日收盘，汽车芯片概念板块指数报1096.79点，跌幅0.18%，成交192.0亿元，换手1.56%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：润欣科技报19.17元，跌-2.34%。芯朋微报57.57元，跌-2.46%。雅创电子报54.32元，跌-2.57%。涨幅最大的前3个股为：立昂微报25.96元，涨9.95%；银河微电报23.34元，涨5.90%；恒勃股份报43.00元，涨3.69%。

22日收盘，Chiplet概念概念板块指数报1385.88点，跌幅0.08%，成交103.4亿元，换手1.84%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：三佳科技报29.12元，跌-1.75%。润欣科技报19.17元，跌-2.34%。芯原股份报93.45元，跌-5.70%。涨幅最大的前3个股为：银河微电报23.34元，涨5.90%；甬矽电子报30.01元，涨5.67%；艾森股份报38.38元，涨4.69%。

22日收盘，第三代半导体概念板块指数报1261.26点，涨幅0.01%，成交316.5亿元，换手3.20%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：欧陆通报102.00元，跌-4.10%。利亚德报6.06元，跌-4.57%。麦格米特报46.25元，跌-5.11%。涨幅最大的前3个股为：立昂微报25.96元，涨9.95%；银河微电报23.34元，涨5.90%；铖昌科技报32.76元，涨5.51%。

22日收盘，氮化镓概念板块指数报1185.55点，涨幅0.14%，成交175.2亿元，换手2.59%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：欧陆通报102.00元，跌-4.10%。利亚德报6.06元，跌-4.57%。安克创新报80.08元，跌-4.83%。涨幅最大的前3个股为：立昂微报25.96元，涨9.95%；银河微电报23.34元，涨5.90%；铖昌科技报32.76元，涨5.51%。

22日收盘，IGBT概念概念板块指数报756.31点，涨幅0.81%，成交199.3亿元，换手2.72%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：长电科技报32.77元，跌-1.15%。威孚高科报19.41元，跌-1.37%。皇庭国际报3.10元，跌-6.91%。涨幅最大的前3个股为：立昂微报25.96元，涨9.95%；东微半导报41.70元，涨6.13%；银河微电报23.34元，涨5.90%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例。由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此BJT的作用类似于电流控制开关。

17日收盘，IGBT概念概念板块指数报744.46点，涨幅0.01%，成交182.5亿元，换手1.24%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：天龙股份报19.32元，跌-1.68%。民德电子报23.90元，跌-2.05%。振华科技报54.90元，跌-7.25%。涨幅最大的前3个股为：上海贝岭报38.42元，涨4.63%；银河微电报21.68元，涨2.55%；东微半导报39.01元，涨2.07%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。

17日收盘，碳化硅概念板块指数报1226.38点，涨幅0.46%，成交76.18亿元，换手1.34%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：晶盛机电报28.52元，跌-1.18%。扬杰科技报45.26元，跌-1.20%。奔朗新材报11.19元，跌-2.01%。涨幅最大的前3个股为：芯朋微报59.10元，涨12.96%；银河微电报21.68元，涨2.55%；天岳先进报59.16元，涨2.00%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。

财迅通4月11日讯，银河微电（688689.SH）在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问：答复时间 2025-01-14 17:09:00该公司注册资本6500万元，其中，银河微电占股63.08%，上海陆芯占股36.92%，该公司将与上市公司2024 年年报合并报表，感谢您的关注!答复时间 2025-02-20 16:45:00常州银芯微功率半导体有限公司注册资本7500万元，其中，银河微电占股54.67%，上海陆芯占股32.00%，常高新集团占股13.33%。公司已于2025年2月办理完工商变更手续，请问：是什么原因出让了13.33%的股份给常高薪集团？

答：尊敬的投资者您好，银芯微成立之初，公司注册资本为6500万元，2024年12月常州新北区科技人才引育创业投资中心(有限合伙)以自有资金人民币1000万元入股银芯微，公司注册资本增资至7500万元。感谢您的关注！

问：董秘您好！请问贵公司是否已经部署了DeepSeek？如果已经部署了，请问主要应用于哪些具体的业务？公司接入DeepSeek有哪些成本、收益方面的考量？如果公司计划在未来再进行部署，计划将DeepSeek应用于什么具体的业务呢？我们投资者非常期待您的回复，谢谢！