22日收盘，碳化硅概念板块指数报1248.79点，跌幅0.24%，成交71.15亿元，换手1.46%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：天岳先进报59.94元，跌-2.54%。海希通讯报20.43元，跌-3.68%。麦格米特报46.25元，跌-5.11%。涨幅最大的前3个股为：银河微电报23.34元，涨5.90%；柘中股份报12.92元，涨3.03%；扬杰科技报46.81元，涨2.88%。
硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。
半导体芯片分为集成电路和分立器件，其基本结构均可划分为“衬底-外延-器件”结构。在碳化硅（SiC）产业链中，SiC衬底是上游环节，价值量占比高达46%，为最核心的部分。SiC衬底由SiC粉经过多道工序最终形成，其中SiC晶体的生长为核心工艺，难点在于提升良率。SiC衬底分为导电型和半绝缘型，分别应用于功率和射频器件领域。SiC外延片属于中游环节，价值量占比23%，它是在衬底上再覆盖一层薄膜以满足器件生产条件，具体分为导电型和半绝缘型，分别用于生产功率器件和射频器件。SiC器件制造则是下游环节，价值量占比约20%（包括设计、制造和封装），主要应用于新能源汽车、电源设备、光伏等领域。目前，中国的碳化硅器件厂商以IDM模式为主，少量为纯设计企业。
中国碳化硅产业链上游为衬底材料，中游为外延材料，下游则涵盖射频器件和功率器件，终端应用领域包括新能源汽车、光伏、5G通信等。在全球SiC衬底产业中，美国占据主导地位，市场份额约达60%，而中国企业的市占率约为10%，主要集中于4英寸和6英寸的SiC衬底领域。中游的SiC外延设备及外延片方面，全球市场被Axitron、LPE、TEL和Nuflare四大龙头企业所垄断，市场集中度极高。SiC外延片对SiC器件的性能至关重要，中国企业正积极布局SiC外延环节，以推动半导体国产替代。下游的功率器件生产包括芯片设计、芯片制造和封装测试环节，主要应用于新能源汽车、电源设备、光伏等领域。目前，中国碳化硅器件厂商以IDM模式为主，少量为纯设计企业。