26日收盘，IGBT概念概念板块指数报800.98点，涨幅1.15%，成交169.3亿元，换手1.51%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：中瓷电子报46.90元，跌-0.61%。闻泰科技报33.58元，跌-1.18%。时代电气报48.51元，跌-1.28%。涨幅最大的前3个股为：天龙股份报18.36元，涨6.87%；TCL中环报9.67元，涨5.45%；ST华微报6.93元，涨5.00%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。
IGBT产品按照封装形式可以分为IGBT模块、IPM模块和IGBT单管。IGBT模块是多个IGBT芯片并联集成封装在一起的模块，外部电路简单且工作可靠，更适合高压和大电流连接，常见的有1in1、2in1、6in1等封装形式。IPM模块即智能功率模块，它集成了栅极驱动电路和各种保护电路，如热保护和过流保护，能防止过高升温和高压冲击对IGBT的损害，其可靠性较高且使用简单，特别适合中小功率逆变器。IGBT单管封装模块较小，是体现IGBT制造商核心技术水平的产品，其结构简单，电流通常在50A以下，常见有TO247、TO3P等封装形式。
IGBT产业链的发展呈现多元化态势。IGBT厂商主要分为IDM厂商和Fabless厂商两类，前者上游连接半导体设备及材料厂商，中游涵盖设计、制造与封测环节，下游则延伸至各应用领域；而后者上游为设计厂商，中游包括制造与封测，下游同样为各应用领域。整个IGBT行业的上游主要涉及晶圆制造所需的原材料与设备，如光刻胶、硅片、抛光垫、电子特气等材料，以及光刻机、离子注入机、EDA与IP等设备。对于Fabless厂商而言，其上游还包括晶圆制造、封装及测试的代工厂商。中游则以Fabless厂商为主，包括派芯科技、科达集团、新洁能、西安中车永电电气有限公司等企业。下游终端应用领域广泛，汽车电子领域的客户有比亚迪、小鹏、理想、蔚来、极氪、上汽、江淮、五菱等，光伏储能领域的客户则包括阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源等。随着光伏和新能源汽车行业的快速发展，这两大领域成为驱动IGBT需求持续增长的重要力量。在光伏领域，IGBT作为光伏逆变器的重要组成部分，随着光伏装机量的增长而需求迅速攀升；在新能源汽车领域，由于电压、功率的大幅提升，IGBT已成为标配，随着新能源汽车的推广，IGBT的需求进一步得到增长。