19日收盘，IGBT概念概念板块指数报828.7点，跌幅1.11%，成交214.9亿元，换手1.78%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：斯达半导报94.57元，跌-2.35%。黄山谷捷报62.36元，跌-3.09%。ST华微报6.63元，跌-3.77%。涨幅最大的前3个股为：皇庭国际报3.75元，涨3.31%；比亚迪报397.07元，涨3.25%；TCL中环报9.15元，涨1.22%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道、N沟道4种类型，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，形成三个连接端子：发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT作为电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，其作用类似于电流控制开关。
19日收盘，东北振兴概念板块指数报1122.94点，涨幅0.05%，成交109.7亿元，换手1.73%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：ST华微报6.63元，跌-3.77%。大连友谊报7.02元，跌-3.84%。*ST东方报0.83元，跌-4.60%。涨幅最大的前3个股为：大连重工报5.78元，涨10.10%；东安动力报13.31元，涨10.00%；*ST信通报8.32元，涨5.05%。
13日收盘，第三代半导体概念板块指数报1408.72点，跌幅1.73%，成交509.3亿元，换手4.11%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：华峰测控报144.05元，跌-5.80%。中恒电气报17.50元，跌-5.91%。天岳先进报72.00元，跌-6.25%。涨幅最大的前3个股为：民德电子报26.77元，涨6.44%；宁新新材报13.92元，涨5.37%；ST华微报7.07元，涨5.05%。
13日收盘，IGBT概念概念板块指数报814.65点，跌幅1.66%，成交254.1亿元，换手2.59%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：黄山谷捷报57.75元，跌-4.12%。利欧股份报4.09元，跌-4.88%。威孚高科报23.49元，跌-10.00%。涨幅最大的前3个股为：民德电子报26.77元，涨6.44%；振华科技报56.53元，涨6.06%；ST华微报7.07元，涨5.05%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。
13日收盘，LED概念板块指数报3334.53点，跌幅1.58%，成交382.8亿元，换手2.86%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：芯朋微报50.55元，跌-5.66%。万润科技报13.68元，跌-5.79%。鸣志电器报72.13元，跌-6.28%。涨幅最大的前3个股为：厦门信达报5.80元，涨10.06%；ST华微报7.07元，涨5.05%；ST证通报6.37元，涨4.94%。
13日收盘，东北振兴概念板块指数报1104.13点，跌幅0.31%，成交125.2亿元，换手2.13%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：梦网科技报17.02元，跌-3.90%。吉林化纤报3.61元，跌-7.20%。东方集团报1.02元，跌-9.73%。涨幅最大的前3个股为：大连热电报6.94元，涨6.28%；*ST信通报6.84元，涨5.07%；ST华微报7.07元，涨5.05%。
11日收盘，昨日触板概念板块指数报175.77点，跌幅1.11%，成交185.2亿元，换手7.59%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：浙江黎明报19.85元，跌-8.31%。新赣江报30.09元，跌-10.10%。基康仪器报18.79元，跌-10.52%。涨幅最大的前3个股为：东百集团报7.34元，涨5.16%；ST东时报2.66元，涨5.14%；ST华微报6.75元，涨4.98%。
11日收盘，东北振兴概念板块指数报1102.71点，涨幅0.62%，成交116.4亿元，换手1.64%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：国中水务报3.57元，跌-1.65%。沈阳机床报7.50元，跌-2.47%。东方集团报1.03元，跌-9.65%。涨幅最大的前3个股为：东软集团报13.84元，涨10.02%；*ST信通报6.47元，涨5.03%；ST华微报6.75元，涨4.98%。
11日收盘，IGBT概念概念板块指数报822.15点，涨幅0.84%，成交259.7亿元，换手2.68%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：斯达半导报90.83元，跌-0.83%。派瑞股份报15.84元，跌-0.88%。上海贝岭报36.62元，跌-0.92%。涨幅最大的前3个股为：威孚高科报27.82元，涨7.79%；振华科技报51.32元，涨7.03%；ST华微报6.75元，涨4.98%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。
10日收盘，IGBT概念概念板块指数报815.31点，涨幅0.29%，成交241.4亿元，换手3.18%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：国电南瑞报22.39元，跌-2.23%。皇庭国际报3.54元，跌-3.01%。利欧股份报4.26元，跌-5.75%。涨幅最大的前3个股为：威孚高科报25.81元，涨10.02%；ST华微报6.43元，涨4.89%；派瑞股份报15.98元，涨3.36%。
IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，它利用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。