19日收盘，IGBT概念概念板块指数报828.7点，跌幅1.11%，成交214.9亿元，换手1.78%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：斯达半导报94.57元，跌-2.35%。黄山谷捷报62.36元，跌-3.09%。ST华微报6.63元，跌-3.77%。涨幅最大的前3个股为：皇庭国际报3.75元，涨3.31%；比亚迪报397.07元，涨3.25%；TCL中环报9.15元，涨1.22%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道、N沟道4种类型，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，形成三个连接端子：发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT作为电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，其作用类似于电流控制开关。
IGBT产品按照封装形式可以分为三类：IGBT模块、IPM模块和IGBT单管。IGBT模块是多个IGBT芯片并联集成封装在一起的模块，外部电路简单，工作可靠，更适合高压和大电流连接，常见的有1in1、2in1、6in1等封装形式。IPM模块即智能功率模块，集成了栅极驱动电路和各种保护电路（如热保护、过流保护等），可靠性高，使用简单，适合中小功率逆变器。IGBT单管封装模块较小，是体现IGBT制造商水平的核心技术，其电流通常在50A以下，结构简单，常见有TO247、TO3P等封装形式。
IGBT产业链的发展呈现多元化态势。IGBT厂商主要分为IDM厂商和Fabless厂商两类。对于IDM厂商，其上游连接半导体设备及材料厂商，中游涵盖设计、制造与封测环节，下游则延伸至各应用领域。而Fabless厂商的上游则包括设计厂商，中游为制造与封测，下游同样为各应用领域。IGBT行业的上游主要涉及晶圆制造所需的原材料与设备，如光刻胶、硅片、抛光垫、电子特气等材料，以及光刻机、离子注入机、EDA与IP等设备；对于Fabless厂商，其上游还包括晶圆制造、封装及测试的代工厂商。中游则以Fabless厂商为主，包括派芯科技、科达集团、新洁能、西安中车永电电气有限公司等企业。下游终端应用领域广泛，汽车电子领域的客户包括比亚迪、小鹏、理想、蔚来、极氪、上汽、江淮、五菱等，光伏储能领域的客户则有阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源等。光伏与新能源汽车的双轮驱动，成为带动IGBT需求持续增长的重要动力。IGBT作为光伏逆变器的重要组成部分，在光伏领域应用广泛，随着光伏装机量的增长，IGBT需求迅速攀升。同时，在新能源汽车领域，随着电压、功率的大幅提升，IGBT已成为标配，新能源汽车的推广进一步推动了IGBT需求的增长。