比亚迪

29日收盘，宁组合概念板块指数报484.26点，涨幅0.75%，成交283.5亿元，换手0.91%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：石头科技报185.47元，跌-1.35%。比亚迪报355.00元，跌-1.39%。阳光电源报61.30元，跌-2.08%。涨幅最大的前3个股为：凯莱英报81.90元，涨5.91%；韦尔股份报128.41元，涨5.01%；汇川技术报67.12元，涨4.21%。

29日收盘，刀片电池概念板块指数报1961.33点，涨幅0.95%，成交56.49亿元，换手1.30%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：比亚迪报355.00元，跌-1.39%。雄韬股份报14.12元，跌-1.47%。星源材质报8.96元，跌-1.54%。涨幅最大的前3个股为：华光新材报25.08元，涨7.36%；德新科技报12.94元，涨2.45%；天齐锂业报28.60元，涨1.71%。

28日收盘，刀片电池概念板块指数报1942.82点，跌幅2.54%，成交78.77亿元，换手1.62%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：天齐锂业报28.12元，跌-2.33%。比亚迪报360.00元，跌-2.92%。合纵科技报1.99元，跌-20.08%。涨幅最大的前3个股为：星云股份报28.38元，涨3.28%；华光新材报23.36元，涨0.34%；星源材质报9.10元，跌-0.66%。

28日收盘，超级品牌概念板块指数报2325.97点，跌幅0.99%，成交271.3亿元，换手0.74%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：比亚迪报360.00元，跌-2.92%。万 科Ａ报6.83元，跌-3.12%。东阿阿胶报55.11元，跌-10.00%。涨幅最大的前3个股为：格力电器报46.55元，涨2.94%；ST易购报1.94元，涨2.11%；五 粮 液报130.85元，涨1.39%。

28日收盘，宁组合概念板块指数报480.65点，跌幅0.50%，成交281.8亿元，换手0.98%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：比亚迪报360.00元，跌-2.92%。恩捷股份报26.65元，跌-4.72%。科沃斯报49.68元，跌-6.58%。涨幅最大的前3个股为：阳光电源报62.60元，涨6.43%；凯莱英报77.33元，涨3.84%；福斯特报12.29元，涨1.91%。

25日收盘，刀片电池概念板块指数报1993.42点，涨幅1.02%，成交66.42亿元，换手1.69%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：德新科技报12.80元，涨0.23%。天齐锂业报28.79元，涨0.10%。合纵科技报2.49元，涨0.00%。涨幅最大的前3个股为：星云股份报27.48元，涨6.64%；常铝股份报3.72元，涨1.64%；比亚迪报370.83元，涨1.32%。

24日收盘，超级品牌概念板块指数报2348.36点，涨幅0.23%，成交202.1亿元，换手0.57%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：比亚迪报366.00元，跌-1.61%。泸州老窖报126.55元，跌-1.63%。桂发祥报10.83元，跌-1.99%。涨幅最大的前3个股为：登康口腔报45.49元，涨6.88%；东阿阿胶报63.10元，涨2.25%；海天味业报42.55元，涨1.75%。

23日收盘，超级品牌概念板块指数报2342.86点，跌幅0.74%，成交258.0亿元，换手0.68%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：东阿阿胶报61.71元，跌-1.97%。三全食品报11.72元，跌-4.25%。桂发祥报11.05元，跌-6.36%。涨幅最大的前3个股为：比亚迪报371.99元，涨4.83%；张小泉报16.22元，涨1.88%；上汽集团报15.41元，涨0.85%。

23日收盘，证金持股概念板块指数报1277.2点，跌幅0.28%，成交1280亿元，换手0.37%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：文峰股份报3.22元，跌-6.12%。合百集团报6.30元，跌-6.39%。山东黄金报31.34元，跌-7.69%。涨幅最大的前3个股为：永安药业报11.25元，涨9.97%；比亚迪报371.99元，涨4.83%；海洋王报6.12元，涨4.62%。

23日收盘，IGBT概念概念板块指数报758.15点，涨幅0.24%，成交238.8亿元，换手1.98%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：利欧股份报3.54元，跌-2.75%。ST华微报6.87元，跌-3.51%。立昂微报24.62元，跌-5.16%。涨幅最大的前3个股为：比亚迪报371.99元，涨4.83%；天龙股份报20.08元，涨4.69%；维科精密报22.92元，涨3.66%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。