13日收盘，IGBT概念概念板块指数报814.65点，跌幅1.66%，成交254.1亿元，换手2.59%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：黄山谷捷报57.75元，跌-4.12%。利欧股份报4.09元，跌-4.88%。威孚高科报23.49元，跌-10.00%。涨幅最大的前3个股为：民德电子报26.77元，涨6.44%；振华科技报56.53元，涨6.06%；ST华微报7.07元，涨5.05%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管，由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。
IGBT产品按照封装形式可以划分为IGBT模块、IPM模块和IGBT单管（分立IGBT）。IGBT模块是将多个IGBT芯片并联集成封装在一起，外部电路简单且工作可靠，更适合高压和大电流连接，常见的有1in1、2in1、6in1等封装形式。IPM模块，即智能功率模块，集成了栅极驱动电路和各种保护电路（如热保护、过流保护等），可靠性高，使用简单，特别适合中小功率逆变器。而IGBT单管（分立IGBT）封装较小，是体现IGBT制造商核心技术的产品，结构简单，电流通常在50A以下，常见有TO247、TO3P等封装形式。
IGBT产业链的发展呈现多元化态势。IGBT厂商主要分为IDM厂商和Fabless厂商两类。对于IDM厂商，其上游连接半导体设备及材料厂商，中游涵盖设计、制造与封测环节，下游则延伸至各应用领域。而Fabless厂商的上游则包括设计厂商以及制造与封测代工厂商。IGBT行业的上游主要涉及晶圆制造所需的原材料与设备，如光刻胶、硅片、抛光垫、电子特气等材料，以及光刻机、离子注入机、EDA与IP等设备。对于Fabless厂商而言，其上游还包括晶圆制造、封装及测试的代工厂商。中游IGBT厂商以Fabless厂商为主，包括派芯科技、科达集团、新洁能、西安中车永电电气有限公司等。这些厂商的主要客户分布在电机节能、数码相机、风光发电逆变器、轨道交通及新能源汽车等多个领域。下游终端应用领域客户众多，其中汽车电子领域的客户包括比亚迪、小鹏、理想、蔚来、极氪、上汽、江淮、五菱等，而光伏储能领域的客户则涵盖阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源等。随着光伏和新能源汽车行业的快速发展，这两大领域成为驱动IGBT需求持续增长的重要动力。IGBT作为光伏逆变器的重要组成部分，在光伏领域的应用日益广泛，而新能源汽车的推广也进一步推动了IGBT需求的增长。