7日收盘，存储芯片概念板块指数报1126.97点，跌幅14.46%，成交312.3亿元，换手3.48%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：古鳌科技报7.35元，跌-20.02%。金太阳报14.62元，跌-20.02%。利尔达报10.35元，跌-26.07%。涨幅最大的前3个股为：紫光国微报63.11元，跌-7.00%；华海清科报156.49元，跌-7.81%；深康佳Ａ报4.10元，跌-9.89%。
存储芯片是一种集成电路芯片，用于存储数字信息，包含许多单元，每个单元可存储一个二进制位。它们被广泛应用于闪存、固态硬盘、DRAM、SRAM、EPROM、EEPROM和闪存卡等设备中。作为半导体行业的一大重要分支，2020年存储芯片的市场规模约占半导体总市场规模的22.41%。
存储芯片可根据数据是否易失分为非易失性存储芯片与易失性存储芯片两大类。易失性存储芯片包括动态随机访问存储器（DRAM）和静态随机访问存储器（SRAM），这类芯片的特点是断电后会丢失数据。其中，DRAM作为易失性存储器的重要分支，因其读写速度较快，被广泛应用于PC机内存、智能手机和服务器中。目前，DRAM已升级为DDR SDRAM（双信道同步动态随机存取内存），实现了在一个时钟周期内读写两次数据，传输效率倍增，并已发展到第五代，每代升级都伴随着传输速度的提升和工作电压的降低。非易失性存储芯片则包括NOR FLASH、NAND FLASH和只读存储器，它们的特点是断电后不会丢失数据。FLASH存储芯片相比DRAM的优点在于断电不失数据且成本较低，但缺点是写入速度较慢，因为每次写入数据前都需要进行擦除操作。FLASH又可进一步细分为NOR FLASH和NAND FLASH，其中NAND的擦除操作更为简便，写入速度因此比NOR更快。2021年以销售额口径计算的市场规模中，NAND FLASH占比为56%，DRAM为41%，两者合计份额达到97%。
存储芯片产业链的发展现状显示，上游主要包括半导体原材料和设备，其中国内设备厂商如北方华创、晶盛机电，以及国际厂商ASML等占据重要地位，半导体材料则主要由沪硅股份、南大光电等提供。中游以DRAM（占41%）和NAND（占56%）芯片的设计厂商为主，全球存储芯片市场被三星电子、SK海力士和美国美光所垄断，2020年DRAM市场CR3已达到95%。中国厂商中，长江存储在3D NAND技术上实现超车，成为全球首家推出232层芯片的厂商。下游则主要是应用层，包括计算、无线通讯、消费和工业等行业，主要企业有苹果、三星、华为、Vivo等。在上游领域，国产化率平均在5%-10%，中国对外依存度较高，国产替代趋势明显，但技术瓶颈较高，短期内难以在先进制程中突破，存在被卡脖子风险。中游部分因DRAM技术投入巨大，形成资金与技术壁垒，导致行业垄断格局稳定。尽管中国企业在3D NAND技术上有突破，但上游的限制仍制约其发展。供需方面，存储大厂新增产能主要在2021-2022年释放，预计2023年以后DRAM和3D NAND产能增长仍可达5~10%。需求侧方面，现存的消费类产品市场受宏观经济影响需求下滑，而数据中心因云端应用的高成长成为增长最快的领域。预计2023年随着宏观经济回暖，存储芯片价格有望恢复上行。