29日收盘，碳化硅概念板块指数报1238.0点，涨幅0.25%，成交76.32亿元，换手1.55%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：柘中股份报12.92元，跌-2.56%。东尼电子报15.57元，跌-3.35%。麦格米特报43.03元，跌-9.58%。涨幅最大的前3个股为：海希通讯报18.98元，涨4.17%；晶升股份报29.30元，涨4.05%；ST易事特报3.40元，涨2.41%。
硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。
半导体芯片分为集成电路和分立器件，其基本结构均可划分为“衬底-外延-器件”。在碳化硅(SiC)产业链中，SiC衬底是上游环节，价值量占比高达46%，为最核心部分。SiC衬底由SiC粉经过多道工序最终形成，其中晶体生长为核心工艺，难点在于提升良率。SiC衬底分为导电型和半绝缘型，分别应用于功率和射频器件领域。SiC外延片属于中游环节，价值量占比23%，是在衬底上覆盖一层薄膜以满足器件生产条件。具体分为导电型用于功率器件，以及半绝缘型用于射频器件。SiC器件制造则是下游环节，价值量占比约20%（包括设计、制造和封装），主要应用于新能源汽车、电源设备、光伏等领域。目前，中国碳化硅器件厂商以IDM模式为主，少量为纯设计企业。
中国碳化硅产业链上游为衬底材料，中游为外延材料，下游则涵盖射频器件和功率器件，终端应用领域包括新能源汽车、光伏、5G通信等。在上游，全球SiC衬底产业中美国占据主导地位，市场份额约60%，而中国企业的市占率约为10%，主要聚焦于4英寸和6英寸的SiC衬底。中游方面，SiC外延设备及外延片是关键，全球SiC外延设备市场被Axitron、LPE、TEL和Nuflare四大龙头企业所垄断。SiC外延片对SiC器件性能至关重要，中国企业正积极布局此环节，以推动半导体国产替代。下游则以功率器件为主，其生产过程包括芯片设计、芯片制造和封装测试，主要应用于新能源汽车、电源设备、光伏等领域。目前，中国碳化硅器件厂商以IDM模式为主，少量为纯设计企业。