14日收盘，存储芯片概念板块指数报1325.56点，涨幅0.63%，成交405.4亿元，换手4.61%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：华虹公司报46.79元，跌-3.31%。深康佳Ａ报4.94元，跌-3.33%。康强电子报17.70元，跌-3.44%。涨幅最大的前3个股为：利尔达报15.43元，涨8.97%；航锦科技报32.90元，涨8.76%；德明利报110.33元，涨6.29%。
存储芯片是一种集成电路芯片，用于存储数字信息。它由许多单元组成，每个单元可以存储一个二进制位。存储芯片广泛应用于闪存、固态硬盘、DRAM、SRAM、EPROM、EEPROM和闪存卡等设备中。作为半导体行业的一大重要分支，2020年存储芯片的市场规模约占半导体总市场规模的22.41%。
存储芯片可根据数据是否易失分为非易失性存储芯片与易失性存储芯片两大类。易失性存储芯片包括动态随机访问存储器（DRAM）和静态随机访问存储器（SRAM），其特点是断电后会丢失数据，但由于读写速度较快，被广泛应用于PC机内存、智能手机和服务器中。非易失性存储芯片则包括NOR FLASH、NAND FLASH和只读存储器，其特点是断电后不会丢失数据。在2021年以销售额口径计算的市场规模中，NAND FLASH占比为56%，DRAM为41%，两者合计份额达到97%。DRAM作为易失性存储器的重要分支，已升级为DDR SDRAM，可以在一个时钟周期内读写两次数据，传输速度加倍，并已发展到第五代。非易失性存储器中，FLASH相比DRAM的优点在于断电不失数据且成本较低，但写入速度较慢，因为每次写入数据前都需要擦除一次。FLASH存储芯片进一步细分为NOR FLASH和NAND FLASH，其中NAND的擦除操作更简便，写入速度也更快。
存储芯片产业链的发展现状显示，上游主要包括半导体原材料和半导体设备，其中国内设备厂商如北方华创、晶盛机电，以及国际厂商ASML等占据一定市场。半导体材料则主要由沪硅股份、南大光电等提供。中游主要是DRAM（占41%）和NAND（占56%）芯片的设计厂商，全球存储芯片市场被三星电子、SK海力士和美国美光所垄断，2020年DRAM市场前三家企业的市场份额已达到95%。中国厂商中，长江存储在3D NAND技术上实现超车，成为全球首家推出232层芯片的厂商。下游则主要为应用层，涵盖计算、无线通讯、消费和工业等领域，主要企业包括苹果、三星、华为、Vivo等。
在上游领域，平均国产化率在5%-10%之间，中国对外依存度整体保持较高水平，国产替代趋势明显。然而，由于技术瓶颈较高，短期内难以在先进制程中形成突破，中国厂商面临被卡脖子的风险。中游部分，由于DRAM技术的巨大投入，许多企业无法承受，形成了有力的资金与技术壁垒，使得行业形成了稳定的垄断格局。尽管中国企业在3D NAND技术上取得了突破，但上游的制约仍然限制了其发展。从供需关系来看，供应端存储大厂的新增产能释放主要集中在2021-2022年，预计2022年仍有产能投放，但增速放缓。预计2023年以后，DRAM和3D NAND的产能增长仍可达到5~10%。在需求侧，现存的消费类产品市场受宏观经济影响需求下滑，而数据中心因云端应用的高成长成为增长最快速的领域。预计2023年随着宏观经济的回暖，存储芯片价格有望恢复上行。