14日收盘，碳化硅概念板块指数报1296.39点，跌幅0.29%，成交142.2亿元，换手3.41%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：奔朗新材报9.38元，跌-2.39%。星球石墨报26.52元，跌-2.50%。柘中股份报11.53元，跌-2.62%。涨幅最大的前3个股为：通富微电报30.84元，涨4.01%；蓝海华腾报23.60元，涨1.81%；东尼电子报19.33元，涨1.10%。
硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低、可以缩小产品体积并提高转换效率，以及工作频率可达硅基器件的10倍且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。
半导体芯片分为集成电路和分立器件，其基本结构均可划分为“衬底-外延-器件”结构。在碳化硅行业中，SiC衬底是产业链的上游环节，价值量占比高达46%，为最核心的部分。SiC衬底由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗等环节最终形成，其中SiC晶体的生长是核心工艺，难点在于提升良率。SiC衬底分为导电型和半绝缘型，分别应用于功率和射频器件领域。SiC外延片则属于产业链中游环节，价值量占比23%，它是在衬底上再覆盖一层薄膜以满足器件生产条件。具体分为导电型SiC衬底用于SiC外延，进而生产功率器件，以及半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延，进而生产射频器件。而SiC器件制造是产业链的下游环节，价值量占比约20%（包括设计、制造和封装），主要应用在新能源汽车、电源设备、光伏等领域。目前，中国的碳化硅器件厂商以IDM为主，少量为纯设计企业。
中国碳化硅产业链上游为衬底材料，主要由美国企业占据主导地位，约占全球60%的市场份额，而中国企业在这一领域的市占率约为10%，主要集中在4英寸和6英寸的SiC衬底。中游为SiC外延设备及外延片，全球SiC外延设备市场被Axitron、LPE、TEL和Nuflare四大龙头企业所垄断。SiC外延片对SiC器件的性能至关重要，中国企业正积极布局SiC外延环节，以推动半导体国产替代。下游则为功率器件，其生产过程包括芯片设计、芯片制造和封装测试，主要应用于新能源汽车、电源设备、光伏等领域。目前，中国的碳化硅器件厂商主要以IDM模式为主，少量为纯设计企业。