17日收盘，氮化镓概念板块指数报1271.66点，涨幅1.08%，成交271.6亿元，换手3.73%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：立昂微报24.48元，跌-0.69%。晶方科技报34.00元，跌-2.16%。奥海科技报37.99元，跌-7.02%。涨幅最大的前3个股为：欧陆通报127.70元，涨8.67%；国星光电报11.17元，涨4.78%；显盈科技报33.56元，涨4.55%。
氮化镓是一种无机物，化学式为GaN，英文名称为Gallium Nitride，是氮和镓的化合物，属于第三代半导体材料。它通常为白色或微黄色的固体粉末，具有结构稳定、熔点高、耐高压、坚硬等特点，非常适用于极端环境。氮化镓存在三种晶体结构：纤锌矿、闪锌矿和岩盐矿结构，其中六方纤锌矿结构是稳态结构，立方闪锌矿是亚稳态结构，而立方岩盐矿仅在极端高压下出现。在室温下，氮化镓的化学性质稳定，耐酸碱、耐腐蚀，不溶于水，不与浓无机酸反应，与稀酸作用微弱，在热碱溶液中溶解速度极慢。氮化镓在空气中加热到800℃开始氧化，1050℃开始分解，具有高稳定性。其禁带宽度可通过固溶体的制备在较大范围内连续变化，发光波段覆盖从近红外到可见光区再到深紫外区，因此是一种理想的发光器件材料，发光效率高，主要应用于氮化镓基发光二极管（LEDs）、激光二极管（LDs）和紫外光探测器等。作为第三代半导体材料的代表，氮化镓是重要的直接宽带隙半导体材料之一，具有优良的物理化学性质，被广泛应用于蓝绿光发光二极管、激光器、紫外探测器以及高温、大功率集成电路等器件，同时在环保新材料领域也展现出巨大潜力。由于氮化镓的种种优异特性，对氮化镓材料和器件的研究正日益成为关注热点。
氮化镓根据晶体结构的不同，主要可分为纤锌矿、闪锌矿和岩盐矿结构。纤锌矿结构的氮化镓属于六方晶系，每个晶包含六个镓原子和六个氮原子，其晶格常数为a=0.3189纳米，c=0.5185纳米，且沿C轴镓原子与氮原子构成的双层原子密排面以ABABABAB方式堆积。这种结构是氮化镓晶体管进行高电子迁移率晶体管（HEMT）操作的关键。闪锌矿结构的氮化镓则属于立方晶系，每个晶包包含四个镓原子和四个氮原子，其原子排布与金刚石结构相似。而岩盐矿结构的氮化镓，通常在高压下由纤锌矿结构相变而来，此过程可逆，压力消失后会重新转变成更稳定的纤锌矿结构。同样，闪锌矿结构的氮化镓在高温下也不稳定，可能转化成岩盐矿结构或纤锌矿结构的氮化镓。
氮化镓产业链上游原材料主要包括氮化镓衬底及氮化镓外延片，其中代表性衬底供应商有天科合达半导体、中镓半导体、纳维科技、芯元基半导体科技等，而代表性外延片供应商则包括中国电科、英诺赛科、晶湛半导体等。中游为氮化镓器件制造商，经营模式分为设计制造一体和设计加代工厂两种，设计制造一体代表性企业有士兰微电子、华润微电子、三光安电、镓未来等，设计类代表性企业有中兴微电子、海思半导体，代工厂则包括方正微电子、三安光电、台积电等。下游应用领域广泛，涵盖光电子、射频电子和电力电子三大方向，其中光电子领域包括消菌杀毒、激光显示、LED照明和显示等，射频电子领域涉及卫星通讯、移动终端、国防军工和无线通信基站等，电力电子领域则应用于智能电网、工业电机、新能源汽车和电源转换系统等。目前，中国氮化镓产业链已初步形成，整体产业结构相对集中在中游，国产企业正逐步切入氮化镓行业，主要代表企业集中在江苏地区。在衬底方面，主要采用碳化硅衬底，但进口依赖严重，国产化程度较低，中国厂商全球市占率仅约10%。外延片则主要采用金属有机气相化学沉积的生长方法。碳化硅衬底因与氮化镓器件匹配度高、性能好且成本相对较低而得到广泛应用。当前，中国氮化镓中游代表企业每月产能在2,000片至10,000片不等，整体产能较低但呈逐渐扩大趋势。随着多条产线的逐渐投产，未来产能将不断扩大。尽管目前氮化镓在半导体市场中的渗透率较低，但随着中国半导体市场规模的逐年上涨，氮化镓的应用场景将不断丰富，发展空间也将持续拓展。