28日收盘，存储芯片概念板块指数报1407.46点，跌幅4.20%，成交662.0亿元，换手6.95%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：深康佳Ａ报5.24元，跌-8.23%。杭州柯林报48.92元，跌-9.57%。国芯科技报28.47元，跌-10.19%。涨幅最大的前3个股为：同有科技报20.97元，涨8.15%；古鳌科技报11.16元，涨2.29%；太极实业报7.19元，涨0.14%。
存储芯片是一种集成电路芯片，用于存储数字信息，包含多个单元，每个单元可存储一个二进制位。它们被广泛应用于闪存、固态硬盘、DRAM、SRAM、EPROM、EEPROM和闪存卡等设备中。作为半导体行业的一大重要分支，2020年存储芯片的市场规模约占半导体总市场规模的22.41%。
存储芯片可根据数据是否易失分为非易失性存储芯片与易失性存储芯片两大类。易失性存储芯片包括动态随机访问存储器（DRAM）和静态随机访问存储器（SRAM），其特点是断电后会丢失数据，但由于读写速度较快，被广泛应用于PC机内存、智能手机和服务器中。非易失性存储芯片则分为NOR FLASH、NAND FLASH和只读存储器，其特点是断电后不会丢失数据，能够长久保存信息。在市场规模方面，2021年以销售额口径计算，NAND FLASH占比为56%，DRAM为41%，两者合计份额达到97%。此外，DRAM作为易失性存储器的重要分支，已升级为DDR SDRAM，实现了传输数据的加倍，并随着代数升级不断提升传输速度并降低工作电压。而FLASH相比DRAM的优点在于断电不失数据且成本较低，但写入速度较慢，其中NAND FLASH的写入速度优于NOR FLASH，因其擦除操作更为简便。
存储芯片产业链的发展现状显示，上游主要包括半导体原材料和设备，其中国内设备厂商如北方华创、晶盛机电，以及国际厂商ASML等占据重要地位，半导体材料则主要由沪硅股份、南大光电等提供。中游以DRAM（占41%）和NAND（占56%）芯片的设计厂商为主，全球存储芯片市场被三星电子、SK海力士和美国美光所垄断，2020年DRAM市场前三家企业的市场份额已达到95%。中国厂商中，长江存储在3D NAND技术上实现超车，成为全球首家推出232层芯片的厂商。下游则主要是应用层，包括计算、无线通讯、消费和工业等行业，主要企业有苹果、三星、华为、Vivo等。在上游领域，国产化率平均在5%-10%之间，中国对外依存度较高，国产替代趋势明显，但技术瓶颈较高，短期内难以在先进制程中取得突破，中国厂商面临被卡脖子的风险。中游部分，由于DRAM技术投入巨大，行业形成了资金与技术壁垒，导致稳定的垄断格局。尽管中国企业在3D NAND技术上取得突破，但上游的限制仍然制约了其发展。从供需关系来看，供应端存储大厂的新增产能主要在2021-2022年释放，预计2023年以后DRAM和3D NAND产能增长仍可达到5~10%。而在需求侧，现存的消费类产品市场受宏观经济影响需求下滑，但数据中心因云端应用的高成长而成为增长最快的领域。预计2023年随着宏观经济的回暖，存储芯片价格有望恢复上行。