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博菲电气

IGBT概念板块指数跌1.46%,成交151.1亿

28日收盘,IGBT概念概念板块指数报781.79点,跌幅1.46%,成交151.1亿元,换手1.45%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:广电电气报4.47元,跌-3.66%。博菲电气报26.96元,跌-3.75%。黄山谷捷报53.80元,跌-4.78%。涨幅最大的前3个股为:皇庭国际报3.63元,涨4.01%;ST华微报6.89元,涨0.73%;扬杰科技报46.33元,涨0.17%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,它利用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是一种电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。

IGBT概念板块指数涨2.44%,成交418.3亿

21日收盘,IGBT概念概念板块指数报813.98点,涨幅2.44%,成交418.3亿元,换手3.53%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:天龙股份报16.87元,跌-0.88%。皇庭国际报3.26元,跌-1.21%。博菲电气报29.27元,跌-1.98%。涨幅最大的前3个股为:威孚高科报19.66元,涨10.02%;黄山谷捷报59.51元,涨9.19%;台基股份报37.70元,涨9.02%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可以分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型,实际应用中主要以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,形成三个连接端子:发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT作为电流调节器件,能够控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例;由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流,因此BJT的作用类似于电流控制开关。

磁悬浮概念板块微涨,个股涨跌不一

14日收盘,磁悬浮概念概念板块指数报1613.65点,涨幅0.20%,成交184.7亿元,换手2.29%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:博菲电气报29.76元,跌-1.49%。通业科技报22.28元,跌-2.28%。四川长虹报12.65元,跌-2.32%。涨幅最大的前3个股为:唐源电气报18.63元,涨6.64%;中国中车报7.54元,涨1.75%;时代新材报11.80元,涨1.20%。