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天岳先进

碳化硅概念板块指数下跌,个股表现分化

13日收盘,碳化硅概念板块指数报1382.86点,跌幅1.80%,成交184.0亿元,换手4.24%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:东尼电子报22.00元,跌-5.05%。芯朋微报50.55元,跌-5.66%。天岳先进报72.00元,跌-6.25%。涨幅最大的前3个股为:派瑞股份报16.76元,涨2.51%;麦格米特报68.50元,涨2.39%;海希通讯报20.64元,涨1.88%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料,但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料,有望在高功率和高频领域部分替代硅,成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求,在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外,SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件,具体表现为阻抗更低,可以缩小产品体积并提高转换效率;同时,其工作频率可达硅基器件的10倍,且效率不随频率升高而降低,从而降低能量损耗。

13日第三代半导体板块跌1.73%,个股涨跌不一

13日收盘,第三代半导体概念板块指数报1408.72点,跌幅1.73%,成交509.3亿元,换手4.11%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:华峰测控报144.05元,跌-5.80%。中恒电气报17.50元,跌-5.91%。天岳先进报72.00元,跌-6.25%。涨幅最大的前3个股为:民德电子报26.77元,涨6.44%;宁新新材报13.92元,涨5.37%;ST华微报7.07元,涨5.05%。

MSCI中国板块跌0.48%,蓝思科技等股领跌

13日收盘,MSCI中国概念板块指数报1186.18点,跌幅0.48%,成交4491亿元,换手0.71%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:双环传动报35.81元,跌-6.13%。天岳先进报72.00元,跌-6.25%。蓝思科技报25.78元,跌-8.16%。涨幅最大的前3个股为:晋控煤业报12.45元,涨6.96%;永泰能源报1.55元,涨6.16%;振华科技报56.53元,涨6.06%。

MSCI中国概念板块微跌,科伦药业等跌幅居前

12日收盘,MSCI中国概念板块指数报1191.89点,跌幅0.18%,成交4602亿元,换手0.66%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:科伦药业报30.90元,跌-4.57%。恒立液压报88.78元,跌-5.32%。拓荆科技报180.67元,跌-5.70%。涨幅最大的前3个股为:天岳先进报76.80元,涨11.42%;麦格米特报66.90元,涨10.00%;横店东磁报15.11元,涨9.97%。

中证500指数微跌0.07%,个股涨跌不一

12日收盘,中证500概念板块指数报2003.72点,跌幅0.07%,成交2679亿元,换手1.65%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:三棵树报47.51元,跌-4.60%。中科飞测报94.00元,跌-5.23%。拓荆科技报180.67元,跌-5.70%。涨幅最大的前3个股为:天岳先进报76.80元,涨11.42%;江苏有线报3.73元,涨10.03%;新 大 陆报26.94元,涨10.00%。

沪股通概念指数微涨,个股涨跌互现

12日收盘,沪股通概念板块指数报2029.34点,涨幅0.12%,成交5141亿元,换手0.88%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:博众精工报34.61元,跌-5.44%。索通发展报17.27元,跌-5.68%。拓荆科技报180.67元,跌-5.70%。涨幅最大的前3个股为:天岳先进报76.80元,涨11.42%;广西广电报4.15元,涨10.08%;江苏有线报3.73元,涨10.03%。

半导体行业迎机遇,技术创新与市场需求共驱发展

12日收盘,半导体概念概念板块指数报1701.83点,涨幅0.26%,成交1790亿元,换手3.20%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:博众精工报34.61元,跌-5.44%。拓荆科技报180.67元,跌-5.70%。利和兴报18.10元,跌-12.77%。涨幅最大的前3个股为:东土科技报17.18元,涨13.70%;天岳先进报76.80元,涨11.42%;众合科技报9.52元,涨10.06%。

半导体行业是近年来我国重点发展的先进制造业领域,它基于硅等元素在关键位置主导电导性的介于导体与绝缘体之间的特性。在生产过程中,硅需经过提炼和形成单晶环节,再通过柴可拉斯基法成长为晶体,这些单晶硅是制作晶圆的关键材料。半导体技术通过掺杂改变电导性,形成P型与N型半导体,并进一步构建p-n结,从而实现电子设备的核心功能。具体实施时,光刻和离子注入工艺被用于精确塑造半导体器件的微观结构,其应用范围广泛,涵盖从智能手机到计算机的各类集成电路和芯片设计。目前,半导体产业的商业模式涵盖材料提炼、器件设计、芯片制造及分销等多个环节,与技术链紧密相连。展望未来,随着技术不断迭代和市场需求持续增长,半导体行业将朝着更小型化、更高性能以及智能化的方向发展,并预计将逐步渗透到人工智能、5G通信等新兴领域,成为支撑信息社会发展的基石之一。

第三代半导体板块涨1.23%,个股涨跌不一

12日收盘,第三代半导体概念板块指数报1433.51点,涨幅1.23%,成交579.9亿元,换手4.76%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:国科微报80.50元,跌-2.88%。正帆科技报39.75元,跌-3.24%。云南锗业报22.17元,跌-4.60%。涨幅最大的前3个股为:天岳先进报76.80元,涨11.42%;科创新源报28.86元,涨10.24%;麦格米特报66.90元,涨10.00%。

碳化硅概念板块涨幅2%,SiC材料成半导体发展新焦点

12日收盘,碳化硅概念板块指数报1408.2点,涨幅2.00%,成交207.6亿元,换手4.39%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:海希通讯报20.26元,跌-1.94%。奔朗新材报11.69元,跌-2.18%。星球石墨报27.67元,跌-5.82%。涨幅最大的前3个股为:天岳先进报76.80元,涨11.42%;科创新源报28.86元,涨10.24%;奥瑞德报3.51元,涨10.03%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料,但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料,有望在高功率和高频领域部分替代硅,成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求,在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外,SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件,具体表现为阻抗更低,可以缩小产品体积并提高转换效率;同时,其工作频率可达硅基器件的10倍,且效率不随频率升高而降低,从而降低能量损耗。

碳化硅概念板块微涨,个股表现分化

11日收盘,碳化硅概念板块指数报1380.53点,涨幅0.50%,成交124.7亿元,换手3.08%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:东尼电子报22.12元,跌-1.25%。天岳先进报68.93元,跌-2.09%。星球石墨报29.38元,跌-2.10%。涨幅最大的前3个股为:奥瑞德报3.19元,涨5.28%;甘化科工报8.10元,涨4.65%;海希通讯报20.66元,涨3.82%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料,但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料,有望在高功率和高频领域部分替代硅,成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求,在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外,SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件,具体表现为阻抗更低,可以缩小产品体积并提高转换效率;同时,其工作频率可达硅基器件的10倍,且效率不随频率升高而降低,从而降低能量损耗。