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天岳先进

天岳先进:公司未直接回应济南先进材料智造港项目关系

财迅通3月7日讯,天岳先进(688234.SH)在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问:公司二月为何大规模毁约三方协议?

答:尊敬的投资者,您好!公司始终重视人才引进与培养,严格遵守法律法规,烦请您关注公司公开披露信息,感谢您的关注!

问:请问济南先进材料智造港项目和公司有何关系?

答:尊敬的投资者,您好!您提及的济南先进材料智造港项目具体情况请您查阅相关公开信息。公司的重大经营信息敬请查阅上交所网站披露的公告。感谢您的关注!。

碳化硅概念板块涨幅1.43%,成交149.7亿

6日收盘,碳化硅概念板块指数报1374.16点,涨幅1.43%,成交149.7亿元,换手3.24%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:天岳先进报69.85元,跌-0.33%。海希通讯报19.78元,跌-3.04%。奔朗新材报10.79元,跌-3.57%。涨幅最大的前3个股为:东尼电子报23.46元,涨9.99%;麦格米特报54.54元,涨4.76%;露笑科技报8.27元,涨4.16%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料,但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料,有望在高功率和高频领域部分替代硅,成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求,在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外,SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件,具体表现为阻抗更低,可以缩小产品体积并提高转换效率;同时,其工作频率可达硅基器件的10倍,且效率不随频率升高而降低,从而降低能量损耗。

天岳先进:公司未来几年单季度摊销金额将按归属安排摊销

财迅通2月26日讯,天岳先进(688234.SH)在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问:公司8英寸碳化硅衬底量产,实现了扩径降本,碳化硅衬底价格也逐渐下行。除了常用在电动车逆变器上,碳化硅衬底也可以极大提高车载激光雷达及毫米波雷达性能,当前随着汽车智能化加速渗透,公司所产的衬底是否有应用在车端感知领域。

26日第三代半导体板块涨1.25%,个股涨跌不一

26日收盘,第三代半导体概念板块指数报1419.1点,涨幅1.25%,成交633.6亿元,换手4.96%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:长飞光纤报42.20元,跌-2.07%。中恒电气报17.71元,跌-2.64%。欧陆通报156.10元,跌-4.33%。涨幅最大的前3个股为:和而泰报23.08元,涨10.01%;天岳先进报70.06元,涨9.98%;利亚德报8.29元,涨8.37%。

碳化硅概念板块涨幅1.51%,个股表现分化

26日收盘,碳化硅概念板块指数报1372.62点,涨幅1.51%,成交183.2亿元,换手3.95%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:扬杰科技报46.34元,跌-0.66%。ST易事特报3.75元,跌-0.79%。力源信息报11.01元,跌-1.26%。涨幅最大的前3个股为:天岳先进报70.06元,涨9.98%;露笑科技报8.48元,涨5.60%;晶盛机电报33.89元,涨4.02%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料,但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料,有望在高功率和高频领域部分替代硅,成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求,在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外,SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件,具体表现为阻抗更低,可以缩小产品体积并提高转换效率;同时,其工作频率可达硅基器件的10倍,且效率不随频率升高而降低,从而降低能量损耗。

碳化硅概念板块微跌,个股表现分化

25日收盘,碳化硅概念板块指数报1352.18点,跌幅0.47%,成交184.7亿元,换手4.02%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:海希通讯报17.45元,跌-2.73%。蓝海华腾报23.18元,跌-3.05%。麦格米特报58.88元,跌-6.09%。涨幅最大的前3个股为:天岳先进报63.70元,涨4.86%;温州宏丰报6.15元,涨4.41%;星球石墨报29.53元,涨2.25%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料,但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料,有望在高功率和高频领域部分替代硅,成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求,在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外,SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件,具体表现为阻抗更低,可以缩小产品体积并提高转换效率;同时,其工作频率可达硅基器件的10倍,且效率不随频率升高而降低,从而降低能量损耗。

25日第三代半导体板块微跌,个股涨跌不一

25日收盘,第三代半导体概念板块指数报1401.63点,跌幅0.20%,成交629.6亿元,换手4.82%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:利欧股份报4.38元,跌-4.16%。中恒电气报18.19元,跌-6.09%。麦格米特报58.88元,跌-6.09%。涨幅最大的前3个股为:国博电子报53.16元,涨6.00%;天岳先进报63.70元,涨4.86%;金博股份报27.61元,涨4.74%。