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士兰微

IGBT概念板块指数微跌,个股涨跌互现,行业应用广泛

16日收盘,IGBT概念概念板块指数报744.42点,跌幅0.64%,成交189.6亿元,换手1.41%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:维科精密报21.64元,跌-2.61%。博菲电气报25.36元,跌-2.76%。威孚高科报18.64元,跌-2.82%。涨幅最大的前3个股为:天龙股份报19.65元,涨4.24%;华润微报47.30元,涨2.94%;士兰微报24.29元,涨1.63%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,通过栅极电压控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中常用的是增强型的NMOS和PMOS。BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到基极端子的偏置电压量成比例,其作用类似于电流控制开关。

上证180指数微跌0.07%,个股涨跌不一

11日收盘,上证180_概念板块指数报1429.89点,跌幅0.07%,成交1776亿元,换手0.39%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:今世缘报51.74元,跌-3.18%。中国中免报67.95元,跌-3.22%。赛轮轮胎报12.62元,跌-3.59%。涨幅最大的前3个股为:澜起科技报75.06元,涨7.27%;士兰微报23.97元,涨5.27%;韦尔股份报129.00元,涨4.88%。

IGBT概念板块指数微跌,个股涨跌互现,需求持续增长

7日收盘,IGBT概念概念板块指数报812.99点,跌幅0.42%,成交320.7亿元,换手4.48%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:东微半导报44.07元,跌-2.33%。士兰微报26.02元,跌-2.44%。台基股份报34.11元,跌-2.49%。涨幅最大的前3个股为:威孚高科报23.46元,涨9.01%;利欧股份报4.52元,涨6.60%;振华科技报48.22元,涨3.77%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,它利用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是一种电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。

上证180指数微涨0.07%,成交1597亿,个股涨跌互现

4日收盘,上证180_概念板块指数报1463.02点,涨幅0.07%,成交1597亿元,换手0.36%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:中国海油报24.80元,跌-2.94%。今世缘报49.67元,跌-3.44%。璞泰来报17.26元,跌-4.75%。涨幅最大的前3个股为:澜起科技报79.73元,涨4.56%;兆易创新报134.50元,涨3.80%;士兰微报26.46元,涨3.36%。