IGBT概念板块指数微跌,个股涨跌互现,行业应用广泛
16日收盘,IGBT概念概念板块指数报744.42点,跌幅0.64%,成交189.6亿元,换手1.41%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:维科精密报21.64元,跌-2.61%。博菲电气报25.36元,跌-2.76%。威孚高科报18.64元,跌-2.82%。涨幅最大的前3个股为:天龙股份报19.65元,涨4.24%;华润微报47.30元,涨2.94%;士兰微报24.29元,涨1.63%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,通过栅极电压控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中常用的是增强型的NMOS和PMOS。BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到基极端子的偏置电压量成比例,其作用类似于电流控制开关。