IGBT概念板块指数微跌,个股涨跌互现
20日收盘,IGBT概念概念板块指数报825.28点,跌幅0.41%,成交213.6亿元,换手1.62%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:银河微电报24.41元,跌-2.36%。皇庭国际报3.63元,跌-3.20%。ST华微报6.31元,跌-4.83%。涨幅最大的前3个股为:维科精密报30.00元,涨4.31%;时代电气报49.71元,涨2.90%;天龙股份报18.99元,涨1.99%。
IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,它利用栅极电压来控制漏极电流。根据制作工艺,MOSFET可以分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型,实际应用中主要使用增强型的NMOS和增强型的PMOS。而BJT,即双极结型晶体管,其基本结构由两个PN结组成,形成三个连接端子:发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT是一种电流调节器件,能够控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例。由于流入基极端子的小电流能够控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流,因此BJT的作用类似于电流控制开关。