IGBT概念板块微跌,个股涨跌互现,行业需求持续增长
14日收盘,IGBT概念概念板块指数报783.19点,跌幅0.04%,成交289.0亿元,换手3.21%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:台基股份报34.59元,跌-1.82%。ST华微报4.71元,跌-5.04%。利欧股份报4.37元,跌-7.42%。涨幅最大的前3个股为:比亚迪报356.05元,涨4.32%;黄山谷捷报54.55元,涨3.02%;国电南瑞报23.69元,涨2.78%。
IGBT等于MOSFET加上BJT。MOSFET是一种场效应晶体管,通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S),其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可以分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型,实际应用中主要以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。BJT,即双极结型晶体管,基本结构由两个PN结组成,产生三个连接端子:发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT是一种电流调节器件,可控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例;由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流,因此BJT的作用类似于电流控制开关。