IGBT概念板块微涨,个股涨跌互现,行业发展多元化
24日收盘,IGBT概念概念板块指数报815.13点,涨幅0.14%,成交351.1亿元,换手3.59%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:捷捷微电报36.74元,跌-1.87%。黄山谷捷报58.31元,跌-2.02%。东微半导报44.35元,跌-2.42%。涨幅最大的前3个股为:威孚高科报21.35元,涨8.60%;ST华微报5.08元,涨4.53%;利欧股份报4.57元,涨4.10%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管,通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S),其特点是用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管,由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。