IGBT概念板块微跌,个股涨跌互现,行业发展多元化
25日收盘,IGBT概念概念板块指数报791.86点,跌幅0.25%,成交184.6亿元,换手1.46%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:皇庭国际报3.74元,跌-2.35%。利欧股份报3.77元,跌-2.58%。派瑞股份报15.61元,跌-2.98%。涨幅最大的前3个股为:ST华微报6.60元,涨4.93%;振华科技报55.77元,涨4.65%;紫光国微报68.39元,涨3.46%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管,通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S),其特点是用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT是双极结型晶体管,由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。