IGBT概念板块指数涨1.67%,成交132.4亿
21日收盘,IGBT概念概念板块指数报750.26点,涨幅1.67%,成交132.4亿元,换手1.39%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:皇庭国际报3.33元,跌-0.30%。国电南瑞报23.17元,跌-0.56%。中国中车报6.98元,跌-0.57%。涨幅最大的前3个股为:立昂微报23.61元,涨10.02%;利欧股份报3.52元,涨10.00%;ST华微报7.12元,涨3.94%。
IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,主要特点是用栅极电压来控制漏极电流,分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型,实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是一种电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。