灿芯股份

26日收盘，国产芯片概念板块指数报3334.91点，涨幅1.16%，成交3254亿元，换手4.26%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：帝奥微报25.68元，跌-3.60%。奥迪威报37.82元，跌-3.89%。江苏雷利报68.47元，跌-4.06%。涨幅最大的前3个股为：灿芯股份报99.84元，涨20.00%；慈星股份报10.20元，涨13.46%；芯原股份报80.06元，涨13.24%。

26日收盘，注册制次新股概念板块指数报713.5点，涨幅1.26%，成交163.6亿元，换手11.11%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：蓝宇股份报53.40元，跌-1.71%。超研股份报29.24元，跌-1.88%。达梦数据报376.98元，跌-6.46%。涨幅最大的前3个股为：灿芯股份报99.84元，涨20.00%；博实结报84.55元，涨10.94%；广合科技报64.68元，涨8.25%。

26日收盘，预亏预减概念板块指数报1937.76点，涨幅1.55%，成交4195亿元，换手3.15%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：ST晨鸣报2.02元，跌-5.16%。创新医疗报10.11元，跌-6.82%。ST聆达报5.58元，跌-7.00%。涨幅最大的前3个股为：日科化学报8.39元，涨20.03%；成都华微报35.57元，涨20.01%；灿芯股份报99.84元，涨20.00%。

26日收盘，专精特新概念板块指数报1195.63点，涨幅1.65%，成交2172亿元，换手5.34%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：景业智能报62.78元，跌-4.30%。浙江大农报21.80元，跌-5.18%。超达装备报47.37元，跌-6.42%。涨幅最大的前3个股为：万达轴承报188.50元，涨30.00%；众诚科技报37.00元，涨21.31%；灿芯股份报99.84元，涨20.00%。

26日收盘，半导体概念概念板块指数报1700.08点，涨幅1.65%，成交2311亿元，换手3.68%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：富吉瑞报34.02元，跌-4.03%。中科飞测报100.47元，跌-4.61%。ST元成报3.17元，跌-5.09%。涨幅最大的前3个股为：成都华微报35.57元，涨20.01%；灿芯股份报99.84元，涨20.00%；芯原股份报80.06元，涨13.24%。

半导体行业是近年来我国重点发展的先进制造业领域，它基于硅等元素在关键位置主导电导性的介于导体与绝缘体之间的特性。在生产过程中，硅需经过提炼和形成单晶环节，再通过柴可拉斯基法成长为晶体，这些单晶硅是制作晶圆的关键材料。半导体技术通过掺杂改变电导性，形成P型与N型半导体，并进一步构建p-n结，从而实现电子设备的核心功能。具体实施时，光刻和离子注入工艺被用于精确塑造半导体器件的微观结构，其应用范围广泛，涵盖从智能手机到计算机的各类集成电路和芯片设计。目前，半导体产业的商业模式涵盖材料提炼、器件设计、芯片制造及分销等多个环节，与技术链紧密相连。展望未来，随着技术不断迭代和市场需求持续增长，半导体行业将朝着更小型化、更高性能以及智能化的方向发展，并预计将逐步渗透到人工智能、5G通信等新兴领域，成为支撑信息社会发展的基石之一。

26日收盘，次新股概念板块指数报27637.59点，涨幅1.76%，成交180.3亿元，换手11.03%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：蓝宇股份报53.40元，跌-1.71%。超研股份报29.24元，跌-1.88%。达梦数据报376.98元，跌-6.46%。涨幅最大的前3个股为：万达轴承报188.50元，涨30.00%；灿芯股份报99.84元，涨20.00%；博实结报84.55元，涨10.94%。

14日收盘，半导体概念概念板块指数报1574.57点，跌幅0.28%，成交1618亿元，换手2.68%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：长光华芯报59.58元，跌-4.75%。ST华微报4.71元，跌-5.04%。惠丰钻石报36.10元，跌-5.74%。涨幅最大的前3个股为：飞利信报7.19元，涨20.03%；兴森科技报12.61元，涨10.03%；灿芯股份报80.30元，涨9.36%。

半导体概念与半导体设备有密切关联，半导体设备是指用于制造半导体材料、芯片和器件的设备，其主要功能是在晶体管制造过程中完成材料的加工、附着、刻蚀和清洗等工艺步骤，以及对芯片进行测试和筛选等操作。半导体设备的性能和技术水平直接决定了半导体制造领域的发展和竞争力。应用于集成电路领域的设备通常可分为前道工艺设备（晶圆制造）和后道工艺设备（封装测试）两大类，其中晶圆制造设备的市场规模占集成电路设备整体市场规模的80%以上。在前道晶圆制造中，包含氧化/扩散、光刻、刻蚀、薄膜生长、离子注入、清洗与抛光、金属化七大工艺步骤，对应的设备有氧化/扩散设备、光刻设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备、离子注入设备、清洗设备、机械抛光设备等，其中光刻设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中的三大核心设备。