时代电气

4日收盘，磁悬浮概念概念板块指数报1685.61点，涨幅0.65%，成交117.1亿元，换手1.62%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：时代电气报46.56元，跌-0.70%。华自科技报9.21元，跌-6.50%。中科电气报18.11元，跌-6.89%。涨幅最大的前3个股为：四川长虹报11.35元，涨2.99%；通业科技报22.94元，涨2.96%；科安达报11.03元，涨2.89%。

磁悬浮概念与磁悬浮空调有密切关联，磁悬浮中央空调行业是空调技术领域的一个创新点，依托磁悬浮离心压缩机的核心技术，显著提升了中央空调的能效与可靠性。这些设备广泛应用于酒店、医疗、工业及办公建筑等领域，其中海尔等品牌在市场上处于领先地位，实现了从有摩擦到无摩擦、从有油到无油的技术飞跃。磁悬浮空调通过高速旋转的压缩机与特定的冷却循环过程，达到了高效节能的制冷效果。在商业模式上，磁悬浮空调技术提供商通过销售设备和技术支持来开展业务，并在中国市场占据了重要地位。展望未来，该行业正逐步向全球市场扩展，各大品牌持续加大在智能制造和技术创新方面的投入，磁悬浮中央空调技术有望成为行业发展的新趋势。目前，海尔等公司正引领这项技术走向世界，不断提升其在国内外市场的占有率，这充分展现了中国在该技术领域的创新能力。

28日收盘，碳化硅概念板块指数报1313.71点，跌幅3.79%，成交184.3亿元，换手3.69%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：芯朋微报52.65元，跌-8.29%。麦格米特报50.81元，跌-8.47%。科创新源报21.80元，跌-10.91%。涨幅最大的前3个股为：东尼电子报21.25元，涨9.99%；时代电气报46.39元，跌-0.81%；晶盛机电报33.06元，跌-1.22%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。

27日收盘，铁路基建概念板块指数报2360.74点，跌幅0.71%，成交429.6亿元，换手1.52%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：浙大网新报10.17元，跌-7.29%。深桑达Ａ报29.25元，跌-10.00%。利源股份报2.48元，跌-10.14%。涨幅最大的前3个股为：长药控股报5.82元，涨10.44%；龙溪股份报16.12元，涨10.03%；时代电气报46.77元，涨5.84%。

27日收盘，IGBT概念概念板块指数报815.24点，跌幅0.66%，成交287.2亿元，换手2.60%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：利欧股份报4.23元，跌-2.98%。台基股份报36.24元，跌-3.13%。皇庭国际报3.38元，跌-3.15%。涨幅最大的前3个股为：时代电气报46.77元，涨5.84%；ST华微报5.57元，涨5.09%；黄山谷捷报59.57元，涨2.65%。

IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，它利用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是一种电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，其作用类似于电流控制开关。

27日收盘，海工装备概念板块指数报1582.36点，跌幅0.61%，成交178.0亿元，换手1.49%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：亨通光电报16.26元，跌-2.63%。长飞光纤报40.55元，跌-3.91%。东方电热报5.48元，跌-6.16%。涨幅最大的前3个股为：时代电气报46.77元，涨5.84%；石化机械报6.61元，涨3.77%；杰瑞股份报35.44元，涨2.87%。

27日收盘，碳化硅概念板块指数报1365.42点，跌幅0.52%，成交192.7亿元，换手3.76%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：力源信息报10.71元，跌-2.72%。奥瑞德报2.97元，跌-2.94%。麦格米特报55.51元，跌-7.51%。涨幅最大的前3个股为：时代电气报46.77元，涨5.84%；蓝海华腾报24.80元，涨5.67%；晶升股份报32.86元，涨3.01%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。

27日收盘，磁悬浮概念概念板块指数报1703.27点，跌幅0.12%，成交130.6亿元，换手1.68%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：永鼎股份报5.74元，跌-2.21%。鼎汉技术报8.64元，跌-2.59%。华伍股份报7.23元，跌-5.61%。涨幅最大的前3个股为：时代电气报46.77元，涨5.84%；中科电气报16.31元，涨5.23%；华自科技报9.45元，涨3.28%。

磁悬浮概念与磁悬浮空调有密切关联，磁悬浮中央空调行业是空调技术领域的一个创新点，它依托磁悬浮离心压缩机的核心技术，显著提升了中央空调的能效与可靠性。这些设备广泛应用于酒店、医疗、工业及办公建筑等领域，其中海尔等品牌在市场上处于领先地位，实现了从有摩擦到无摩擦、从有油到无油的技术飞跃。磁悬浮空调通过高速旋转的压缩机与特定的冷却循环过程，达到了高效节能的制冷效果。在商业模式上，磁悬浮空调技术提供商通过销售设备和技术支持来开展业务，并在中国市场占据了重要地位。展望未来，该行业正逐步向全球市场扩展，各大品牌持续加大在智能制造和技术创新方面的投入，磁悬浮中央空调技术有望成为行业发展的新趋势。目前，海尔等公司正引领这项技术走向世界，不断提升其在国内外市场的占有率，这充分展现了中国在该技术领域的强大创新能力。

18日收盘，碳化硅概念板块指数报1271.54点，跌幅2.55%，成交141.6亿元，换手3.34%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：国星光电报10.61元，跌-5.01%。英唐智控报7.95元，跌-5.13%。奥瑞德报2.81元，跌-6.02%。涨幅最大的前3个股为：楚江新材报7.73元，涨1.18%；蓝海华腾报22.81元，跌-0.09%；时代电气报42.77元，跌-0.81%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低、可以缩小产品体积并提高转换效率，以及工作频率可达硅基器件的10倍且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。

17日收盘，IGBT概念概念板块指数报791.14点，涨幅1.02%，成交296.7亿元，换手3.07%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：振华科技报41.95元，跌-0.73%。时代电气报43.12元，跌-0.92%。比亚迪报348.50元，跌-2.12%。涨幅最大的前3个股为：皇庭国际报3.48元，涨10.13%；广电电气报4.51元，涨10.00%；台基股份报35.97元，涨3.99%。

IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管，通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S），其特点是用栅极电压来控制漏极电流，主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种，实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成，具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子，是电流调节器件，能控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例，因此其作用类似于电流控制开关。