IGBT概念板块指数跌0.82%,成交182.7亿
15日收盘,IGBT概念概念板块指数报749.18点,跌幅0.82%,成交182.7亿元,换手1.31%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:台基股份报30.87元,跌-2.59%。民德电子报24.03元,跌-4.83%。振华科技报58.45元,跌-6.60%。涨幅最大的前3个股为:ST华微报6.99元,涨4.95%;广电电气报4.03元,涨0.75%;上海贝岭报37.04元,涨0.68%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,通过栅极电压控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,有三个连接端子:发射器(E)、基极(B)和收集器(C),它是电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。