IGBT概念板块指数微涨,个股表现分化
12日收盘,IGBT概念概念板块指数报828.41点,涨幅0.76%,成交290.4亿元,换手2.64%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:紫光国微报70.70元,跌-1.23%。TCL中环报9.03元,跌-1.31%。威孚高科报26.10元,跌-6.18%。涨幅最大的前3个股为:广电电气报5.13元,涨10.09%;斯达半导报95.72元,涨5.38%;振华科技报53.30元,涨3.86%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管,通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S),其特点是用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种,实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。BJT是双极结型晶体管,由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是电流调节器件,可控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。