科创新源

29日收盘，麒麟电池概念板块指数报1170.13点，涨幅0.92%，成交61.81亿元，换手1.81%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：飞荣达报18.93元，涨0.00%。宁德时代报232.03元，跌-1.20%。科创新源报22.76元，跌-1.22%。涨幅最大的前3个股为：富临精工报18.88元，涨4.77%；银轮股份报24.99元，涨2.63%；瑞泰新材报16.23元，涨1.12%。

28日收盘，碳化硅概念板块指数报1234.86点，跌幅0.73%，成交69.88亿元，换手1.74%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：奔朗新材报9.88元，跌-3.33%。海希通讯报18.22元，跌-5.94%。东尼电子报16.11元，跌-10.00%。涨幅最大的前3个股为：蓝海华腾报19.80元，涨11.05%；奥瑞德报2.61元，涨2.76%；科创新源报23.04元，涨2.35%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。

28日收盘，麒麟电池概念板块指数报1159.48点，跌幅0.60%，成交48.66亿元，换手1.26%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：富临精工报18.02元，跌-0.99%。银轮股份报24.35元，跌-1.58%。瑞泰新材报16.05元，跌-1.65%。涨幅最大的前3个股为：科创新源报23.04元，涨2.35%；飞荣达报18.93元，跌-0.68%；宁德时代报234.85元，跌-0.74%。

22日收盘，麒麟电池概念板块指数报1150.87点，跌幅1.22%，成交54.73亿元，换手1.37%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：银邦股份报10.24元，跌-1.92%。银轮股份报24.31元，跌-2.57%。富临精工报16.68元，跌-2.97%。涨幅最大的前3个股为：宁德时代报230.69元，涨1.71%；科创新源报22.43元，跌-0.09%；铭利达报16.12元，跌-1.04%。

21日收盘，麒麟电池概念板块指数报1165.06点，涨幅3.16%，成交72.74亿元，换手1.83%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：科创新源报22.45元，涨2.37%。铭利达报16.29元，涨2.26%。飞荣达报19.18元，涨1.43%。涨幅最大的前3个股为：银轮股份报24.95元，涨7.92%；银邦股份报10.44元，涨3.06%；瑞泰新材报16.95元，涨2.85%。

18日收盘，麒麟电池概念板块指数报1129.41点，涨幅0.43%，成交40.80亿元，换手1.32%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：宁德时代报225.46元，跌-0.24%。铭利达报15.93元，跌-1.18%。银邦股份报10.13元，跌-1.55%。涨幅最大的前3个股为：飞荣达报18.91元，涨2.05%；银轮股份报23.12元，涨1.49%；科创新源报21.93元，涨1.20%。

17日收盘，麒麟电池概念板块指数报1124.62点，跌幅0.69%，成交49.15亿元，换手1.25%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：银轮股份报22.78元，跌-0.74%。富临精工报16.59元，跌-2.12%。瑞泰新材报16.35元，跌-2.39%。涨幅最大的前3个股为：宁德时代报226.00元，涨0.49%；科创新源报21.67元，涨0.18%；铭利达报16.12元，跌-0.12%。

16日收盘，麒麟电池概念板块指数报1132.47点，跌幅2.98%，成交70.78亿元，换手1.94%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：瑞泰新材报16.75元，跌-3.74%。科创新源报21.63元，跌-4.29%。银轮股份报22.95元，跌-5.28%。涨幅最大的前3个股为：飞荣达报18.58元，跌-1.17%；宁德时代报224.89元，跌-1.43%；铭利达报16.14元，跌-2.24%。

16日收盘，富士康概念板块指数报1510.9点，跌幅2.15%，成交106.9亿元，换手1.85%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：博众精工报25.00元，跌-3.66%。安彩高科报4.02元，跌-3.83%。科创新源报21.63元，跌-4.29%。涨幅最大的前3个股为：亚翔集成报31.31元，涨0.77%；英思特报65.77元，跌-0.53%；京泉华报12.40元，跌-0.80%。

16日收盘，碳化硅概念板块指数报1220.78点，跌幅1.26%，成交77.16亿元，换手1.64%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：麦格米特报47.01元，跌-3.96%。科创新源报21.63元，跌-4.29%。海希通讯报19.41元，跌-6.05%。涨幅最大的前3个股为：芯朋微报52.32元，涨5.21%；华润微报47.30元，涨2.94%；新洁能报31.93元，涨1.33%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。