天富能源

21日收盘，碳化硅概念板块指数报1348.19点，涨幅2.05%，成交217.7亿元，换手4.56%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：奔朗新材报9.89元，跌-0.70%。天富能源报5.90元，跌-1.17%。国星光电报11.29元，跌-1.91%。涨幅最大的前3个股为：芯朋微报55.53元，涨12.07%；海希通讯报18.35元，涨7.31%；麦格米特报62.71元，涨6.49%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。

19日收盘，碳化硅概念板块指数报1309.69点，涨幅3.00%，成交150.3亿元，换手3.41%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：ST易事特报3.64元，涨0.55%。柘中股份报11.18元，涨0.27%。天富能源报6.02元，跌-0.82%。涨幅最大的前3个股为：英唐智控报8.55元，涨7.55%；楚江新材报8.24元，涨6.60%；华润微报48.73元，涨6.37%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。

19日收盘，第三代半导体概念板块指数报1348.83点，涨幅3.74%，成交610.9亿元，换手4.56%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：奥海科技报36.37元，涨0.11%。物产中大报5.10元，跌-0.20%。天富能源报6.02元，跌-0.82%。涨幅最大的前3个股为：路维光电报32.72元，涨19.99%；利亚德报7.30元，涨10.77%；国科微报80.59元，涨10.44%。