华润微

3日收盘，Chiplet概念概念板块指数报1533.4点，跌幅0.34%，成交235.2亿元，换手3.47%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：佰维存储报70.88元，跌-5.57%。润欣科技报24.14元，跌-5.70%。寒武纪-U报693.07元，跌-5.76%。涨幅最大的前3个股为：合锻智能报8.39元，涨9.96%；华润微报48.19元，涨2.53%；曼恩斯特报76.85元，涨2.18%。

财迅通2月28日讯，华润微（688396.SH）在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。

问：贵司今年是否有现金分红计划？董事长或实控人能提前倡议并披露分红方案吗？

答：尊敬的投资者您好，感谢您对公司的关注。公司分红计划将随2024年度报告于4月底一起披露。谢谢！

问：贵司与长电科技是否有整合计划？

答：尊敬的投资者您好，感谢您对公司的关注。公司与长电科技商业模式不同，公司业务以IDM为主，长电科技以封装代工为主，谢谢！

问：董秘好，请及时披露2025年1月、2月的投资者关系活动，看看有多少机构来调研、蹭饭并且打压座空公司股价的？谢谢

答：尊敬的投资者您好，感谢您对公司的关注。具体内容请您详见公司在上交所网站上披露的投资者关系活动记录表。谢谢！

问：董秘好，请问贵司为何不及时披露2025年1月或2月的投资者关系活动？良好的互动也是市值管理工作的一部分，可以说贵司股价长期低迷与你们市值管理有很大的关系。能否猜测，本月不及时进行披露，这是很反常的行为。是因为需要配合机构投资者清建仓之投资目的？

答：尊敬的投资者您好，感谢您对公司的关注。具体内容请您详见公司在上交所网站上披露的投资者关系活动记录表。谢谢！

财迅通讯，2月28日华润微发布公告，公司于12月4日接受国投证券等机构调研，华润微电子董事、财务总监、董秘 吴国屹,华润微电子董事会办公室主任 沈筛英等回答了调研机构提出的问题。

华润微表示，公司库存处于合理水平，约2个月，晶圆制造产能利用率超90%，封装测试产能利用率超80%。在终端领域，家电订单恢复，手机、PC因AI增长，光伏有价格压力，工控需求企稳，汽车电子是重点发展方向。公司已布局AI服务器电源，并拓展超计算、工业机器人等领域。海外业务占比约12%。汽车电子业务方面，公司将深入核心应用，提升市场份额。对于新能源汽车800V高压平台，公司已有产品布局，并进入头部车企供应链。在投并购方面，公司关注功率半导体、传感器、智能控制领域。展望未来，行业受益于新能源汽车及AI等，预计2025年增长，公司将努力保持毛利率稳定。

截至发稿，华润微总市值为622.05亿元，市盈率TTM为67.44，每股净资产为16.69元。

投资者活动主要内容详情如下：

问题一:请问公司目前的库存情况和产能利用率如何?

25日收盘，中特估概念板块指数报1074.43点，跌幅1.39%，成交812.6亿元，换手0.36%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：电科数字报27.67元，跌-5.11%。太极股份报30.00元，跌-5.57%。烽火通信报26.10元，跌-6.69%。涨幅最大的前3个股为：中国长城报17.69元，涨5.93%；招商公路报13.23元，涨0.92%；华润微报49.77元，涨0.34%。

19日收盘，IGBT概念概念板块指数报794.6点，涨幅2.92%，成交284.8亿元，换手2.76%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：威孚高科报18.03元，涨0.00%。国电南瑞报23.33元，跌-0.72%。广电电气报4.84元，跌-2.42%。涨幅最大的前3个股为：立昂微报25.64元，涨7.33%；华润微报48.73元，涨6.37%；博敏电子报8.67元，涨5.60%。

IGBT等于MOSFET加上BJT。MOSFET是一种通过金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。MOSFET按照制作工艺可以分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型，实际应用中主要以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。BJT，即双极结型晶体管，基本结构由两个PN结组成，产生三个连接端子：发射器(E)、基极(B)和收集器(C)。BJT是一种电流调节器件，可控制从发射极流向集电极端子的电流量，该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例。由于流入基极端子的小电流能控制形成晶体管动作基础的更大集电极电流，因此BJT的作用类似于电流控制开关。

19日收盘，碳化硅概念板块指数报1309.69点，涨幅3.00%，成交150.3亿元，换手3.41%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：ST易事特报3.64元，涨0.55%。柘中股份报11.18元，涨0.27%。天富能源报6.02元，跌-0.82%。涨幅最大的前3个股为：英唐智控报8.55元，涨7.55%；楚江新材报8.24元，涨6.60%；华润微报48.73元，涨6.37%。

硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。