IGBT概念板块指数涨0.97%,成交253.3亿
14日收盘,IGBT概念概念板块指数报755.41点,涨幅0.97%,成交253.3亿元,换手1.88%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:紫光国微报70.59元,跌-1.55%。扬杰科技报45.93元,跌-1.86%。振华科技报62.58元,跌-2.33%。涨幅最大的前3个股为:上海贝岭报36.79元,涨5.96%;皇庭国际报3.42元,涨4.27%;利欧股份报3.33元,涨3.42%。
IGBT是MOSFET与BJT的结合。MOSFET是一种通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,其特点是用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型,实际应用中以增强型的NMOS和PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,其作用类似于电流控制开关。