IGBT概念板块指数涨3.18%,成交310.8亿
9日收盘,IGBT概念概念板块指数报709.42点,涨幅3.18%,成交310.8亿元,换手2.77%。板块个股中,跌幅最大的前3个股为:ST华微报6.38元,跌-0.47%。比亚迪报324.60元,跌-0.89%。天龙股份报18.40元,跌-1.87%。涨幅最大的前3个股为:台基股份报28.80元,涨13.30%;紫光国微报69.06元,涨10.00%;振华科技报59.50元,涨8.28%。
IGBT是MOSFET和BJT的结合。MOSFET是一种场效应晶体管,通过金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S),其特点是用栅极电压来控制漏极电流,主要分为增强型、耗尽型、P沟道和N沟道四种类型,实际应用中以增强型的NMOS和增强型的PMOS为主。而BJT双极结型晶体管由两个PN结组成,具有发射器(E)、基极(B)和收集器(C)三个连接端子,是电流调节器件,能控制从发射极流向集电极端子的电流量,该电流量与施加到其基极端子的偏置电压量成比例,因此其作用类似于电流控制开关。