31日收盘，玻璃基板概念板块指数报1334.05点，跌幅0.63%，成交106.4亿元，换手1.57%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：红星发展报14.61元，跌-4.51%。岱勒新材报9.21元，跌-4.95%。天马新材报31.81元，跌-6.44%。涨幅最大的前3个股为：麦格米特报60.84元，涨8.12%；隆利科技报20.73元，涨4.59%；路维光电报33.24元，涨3.26%。
玻璃基板是用于电子领域的薄而平整的玻璃片，在LCD、OLED等液晶面板的制造中扮演重要角色。制作精良的玻璃基板能够提高面板产品的分辨率和透明度，并延长其使用寿命。通常，一块液晶面板由两块玻璃基板组成，分别用作底层基板和彩色滤光片底板。与PCB基板相比，玻璃基板具有出色的导热性能、高度平整度以及较低的芯片转移难度，且成本更具竞争优势。尤其值得一提的是，玻璃基板在MiniLED技术中具有巨大的发展潜力。
31日收盘，英伟达概念概念板块指数报1397.53点，跌幅0.12%，成交278.9亿元，换手2.20%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：宏昌电子报5.93元，跌-3.73%。东方精工报11.75元，跌-3.92%。安诺其报5.76元，跌-5.26%。涨幅最大的前3个股为：恒润股份报14.08元，涨10.00%；麦格米特报60.84元，涨8.12%；润建股份报54.04元，涨5.53%。
28日收盘，碳化硅概念板块指数报1311.88点，跌幅1.54%，成交74.10亿元，换手1.64%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：晶升股份报31.11元，跌-3.89%。甘化科工报7.32元，跌-4.19%。海希通讯报19.85元，跌-4.57%。涨幅最大的前3个股为：奔朗新材报10.84元，涨2.46%；英唐智控报7.99元，涨1.01%；麦格米特报56.27元，涨0.75%。
硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。
财迅通3月27日讯，麦格米特（002851.SZ）在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。
问：尊敬的董秘：您好！英伟达GTC 2025全球技术大会即将结束，作为全球AI算力基础设施领域的重要参与者，请问贵司在本次大会上展示了哪些最新技术成果或解决方案？特别是针对英伟达下一代Rubin架构的高密度算力需求，公司是否推出了适配的供电系统创新？能否简要介绍其技术突破点及行业应用前景？
答：您好，GTC大会为全球AI领域的顶级盛会，公司作为行业内的创新力量，也参与了此次大会并展示公司最新的相关技术成果和解决方案产品，详情请见公司官网“产品中心”项下有关内容，谢谢。
问：请问董秘，贵司业务有涉及机器人、深海经济领域吗？看公开报道贵司业务有涉及这方面，请问是否属实？另外这次GTC大会，GB300电源方面公司相关的技术成果和解决方案吗
财迅通3月26日讯，麦格米特（002851.SZ）在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。
问：请问懂秘，若公司一季度业绩增长同比超过50%是必须公告，还是自愿性公告？
答：您好，现行信息披露规则对于季度业绩预告无强制披露要求，关于公司业绩情况请您关注后续公告，谢谢。
问：贵司主要给英伟达提供什么产品？
答：您好，公司经过多年的研发投入与技术布局，已具备业界领先的高功率高效率服务器电源模块及系统解决方案的技术水平与供应能力，目前正与全行业各大客户对接相关需求，具体产品参数可视客户具体需求进行定制开发，谢谢。
问：贵公司会和国网电科院在哪些方面进行合作？
答：您好，国网电科院作为我国能源电力及工业控制领域的领军企业，在智能成套装备及整体解决方案方面具有显著优势，公司将和国网电科院携手在电力及新能源领域共探新合作，谢谢。
问：去年英伟达在官网公布了GB200合作信息，麦格米特发了一个自愿性公告；而今年GTC大会官网专门留了网页给麦格米特的GB300，公司却不发自愿性公告了？请问发布这类公告的规则是什么？
25日收盘，玻璃基板概念板块指数报1350.38点，跌幅0.67%，成交108.5亿元，换手1.63%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：麦格米特报56.61元，跌-4.34%。岱勒新材报9.88元，跌-4.36%。利亚德报7.19元，跌-5.27%。涨幅最大的前3个股为：红星发展报15.54元，涨9.98%；金瑞矿业报11.81元，涨4.98%；凯盛新能报11.05元，涨3.17%。
玻璃基板是用于电子领域的薄而平整的玻璃片，在LCD、OLED等液晶面板的制造中扮演重要角色。制作精良的玻璃基板能够提高面板产品的分辨率和透明度，并延长其使用寿命。通常，一块液晶面板由两块玻璃基板组成，分别用作底层基板和彩色滤光片底板。与PCB基板相比，玻璃基板具有出色的导热性能、高度平整度、较低的芯片转移难度，且成本更具竞争优势，尤其适用于MiniLED技术，展现出巨大的发展潜力。
25日收盘，碳化硅概念板块指数报1330.06点，跌幅0.42%，成交84.89亿元，换手1.85%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：派瑞股份报15.61元，跌-2.98%。晶升股份报32.01元，跌-3.44%。麦格米特报56.61元，跌-4.34%。涨幅最大的前3个股为：海希通讯报21.33元，涨4.25%；奔朗新材报10.64元，涨4.11%；甘化科工报7.78元，涨2.64%。
硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。
财迅通3月21日讯，麦格米特（002851.SZ）在互动平台针对投资者提出的问题进行了答复。
问：台达周末在官网上发布了GTC大会的新品，亮点是高电压（800V）和直流（DC）趋势。新品“19＂ 72kW 800V HVDC PowerShelf”，其集成了两个36kW PSUs，具备800V高压输出，并实现了卓越的 98% 电源转换效率;麦格米特有相似的产品吗？
答：您好，GTC大会为全球AI领域的顶级盛会，公司作为行业内的创新力量，也将参与此次大会并展示公司最新的相关技术成果和解决方案产品，谢谢。
问：你好，在即将到来的英伟达GTC2025，公司花重金成为赞助商，而非普通参展商，请问是出于什么考虑？作为赞助商参展的支出会带来怎样的回报？
答：您好，GTC大会为全球AI领域的顶级盛会，此次大会将汇聚全球顶尖的开发者、研究人员和企业，共同探讨人工智能、图形技术、数据中心创新以及新兴技术的前沿动态。公司作为行业内的创新力量，将于大会期间展示公司最新的相关技术成果和解决方案产品，有助于促进客户商务对接及未来业务发展，谢谢。
19日收盘，玻璃基板概念板块指数报1416.2点，跌幅1.82%，成交140.4亿元，换手1.95%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：罗博特科报185.08元，跌-4.55%。沃格光电报26.98元，跌-4.66%。麦格米特报61.56元，跌-6.60%。涨幅最大的前3个股为：岱勒新材报8.68元，涨2.24%；凯格精机报36.25元，涨1.34%；鸿利智汇报7.43元，涨0.00%。
玻璃基板是用于电子领域的薄而平整的玻璃片，在LCD、OLED等液晶面板的制造中扮演重要角色。制作精良的玻璃基板能够提高面板产品的分辨率和透明度，并延长其使用寿命。通常，一块液晶面板由两块玻璃基板组成，分别用作底层基板和彩色滤光片底板。与PCB基板相比，玻璃基板具有出色的导热性能、高度平整度、较低的芯片转移难度，并且成本更具竞争优势，尤其适用于MiniLED技术，展现出巨大的发展潜力。
19日收盘，碳化硅概念板块指数报1399.63点，跌幅1.74%，成交124.9亿元，换手2.50%。板块个股中，跌幅最大的前3个股为：天岳先进报66.96元，跌-5.28%。麦格米特报61.56元，跌-6.60%。奔朗新材报11.38元，跌-7.70%。涨幅最大的前3个股为：星球石墨报28.20元，涨2.40%；天富能源报6.56元，涨1.08%；楚江新材报9.64元，涨1.05%。
硅是制造第一代半导体芯片及器件的主要原材料，但其性能已难以满足高功率及高频器件的需求。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体的主要原材料，有望在高功率和高频领域部分替代硅，成为第三代半导体产业发展的重要基础材料。碳化硅功率器件以其耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。此外，SiC功率器件在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件，具体表现为阻抗更低，可以缩小产品体积并提高转换效率；同时，其工作频率可达硅基器件的10倍，且效率不随频率升高而降低，从而降低能量损耗。